[發明專利]貫通電極基板的制造方法有效
| 申請號： | 201510085056.6 | 申請日： | 2009-08-26 |
| 公開（公告）號： | CN104617037B | 公開（公告）日： | 2018-04-24 |
| 發明（設計）人： | 前川慎志;鈴木美雪 | 申請（專利權）人： | 大日本印刷株式會社 |
| 主分類號： | H01L21/768 | 分類號： | H01L21/768;H01L23/14;H01L23/48;H01L23/498;H01L25/065;H01L25/16;H05K3/42 |
| 代理公司： | 北京尚誠知識產權代理有限公司11322 | 代理人： | 龍淳 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 貫通 電極 制造 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種貫通電極基板的制造方法，其特征在于：
在晶片狀的基板中形成多個貫通表面和背面的貫通孔，
在所述基板和所述貫通孔的表面形成絕緣膜，
在所述基板的至少一方的面形成由金屬構成的種子膜，
利用對所述種子膜供給第一時間直流電流的電解電鍍法，在形成有所述種子膜的面的所述貫通孔的底部形成蓋狀的金屬層，
通過對所述種子膜和所述金屬層以第二時間、第一電流密度供給脈沖電流，對所述種子膜以第三時間、且比所述第一電流密度大的第二電流密度供給脈沖電流的電解電鍍法，向所述貫通孔內填充金屬材料。
2.根據權利要求1所述的貫通電極基板的制造方法，其特征在于：
所述電解電鍍法通過對所述種子膜周期性地施加正電壓和負電壓來進行。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
