[發明專利]磷光體、發光裝置及制造磷光體的方法

無效

• 申請號: 201510084975.1
• 申請日: 2015-02-16
• 公開（公告）號: CN104861966A
• 公開（公告）日: 2015-08-26
• 發明（設計）人: 福田由美;阿爾貝薩惠子;石田邦夫;加藤雅禮
• 申請（專利權）人: 株式會社東芝
• 主分類號: C09K11/64
• 分類號: C09K11/64;H01L33/50
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司 72002
• 代理人: 過曉東

1.一種由下式(1)表示的磷光體，

((Sr_pM_1-p)_1-xCe_x)_2yAl_zSi_10-zO_uN_w???(1)

其中

M是至少一種堿土金屬，并且p、x、y、z、u及w是滿足以下條件的數字：

0≤p≤1，

0<x≤1，

0.8≤y≤1.1，

2≤z≤3.5，

0<u≤1，

1.8≤z-u，及

13≤u+w≤15；

所述磷光體在峰波長范圍是250nm到500nm的激發光的激發下發射出發射峰在500nm到600nm波長范圍內的光，

其中

當所述激發光的峰在350nm到475nm范圍內變化時，所述發射峰在小于15nm的范圍內偏移。

2.根據權利要求1所述的磷光體，其中M是選自Ba、Ca和Mg中的至少一種。

3.根據權利要求1所述的磷光體，其中所述數字p不大于0.1。

4.根據權利要求1所述的磷光體，在根據布拉格-布倫塔諾法用Cu-Kα線放射進行的X射線衍射測量中，所述磷光體在以下衍射角(2θ)下顯示至少十個峰：8.45°到8.75°、11.1°到11.4°、18.2°到18.5°、19.7°到20.0°、23.0°到23.3°、24.8°到25.1°、25.65°到25.95°、26.55°到26.85°、29.3°到29.6°、29.8°到30.1°、30.2°到30.5°、30.9°到31.2°、31.55°到31.85°、33.55°到33.85°、33.9°到34.2°、34.35°到34.65°、35.2°到35.5°、36.0°到36.3°、36.5°到36.8°、48.3°到48.6°以及48.7°到49.0°。

5.一種發光裝置，其包括

發光元件，放射出峰值在250nm到500nm波長范圍內的光；及

發光層，其包含根據權利要求1所述的磷光體。

6.一種用于制造根據權利要求1所述的磷光體的方法，其包括以下步驟：

混合以下材料以制備混合物：

含Sr的材料，該材料選自Sr的硅化物、氮化物或碳化物，

含M的材料，該材料選自M的硅化物、氮化物或碳化物，

含Al的材料，該材料選自Al的氮化物、氧化物或碳化物，

含Si的材料，該材料選自Si的氮化物、氧化物或碳化物，及

含Ce的材料，該材料選自Ce的氧化物、氮化物或碳酸鹽；然后

燒制所述混合物。

7.根據權利要求6所述的方法，其中所述含Sr和M的材料分別是Sr和M的硅化物。

8.根據權利要求6所述的方法，其中所述混合物是通過從小到大重量的順序干混合呈粉末形式的所述材料來制備。

9.根據權利要求6所述的方法，其中所述燒制步驟是根據多階段燒制在組合的兩組或更多組不同的燒制條件下進行。

10.根據權利要求6所述的方法，其中所述混合物在氫氣與氮氣的混合氣體氣氛中于大氣壓力下進行燒制，然后繼續再在氮氣氣氛中于增加的壓力下進行燒制。

11.根據權利要求10所述的方法，其中在增加的壓力下進行的燒制程序是根據單階段燒制在5atm或更高壓力及1500℃到2000℃溫度下進行。

12.根據權利要求10所述的方法，其中在增加的壓力下進行的燒制程序是在氮氣氣氛中進行。