[發(fā)明專利]光伏材料及其制備方法有效

申請?zhí)枺?/td>	201510083957.1	申請日：	2015-02-15
公開（公告）號：	CN104716219B	公開（公告）日：	2017-12-08
發(fā)明（設計）人：	王婷婷;鐘國華;薛艷君;顧光一;程亞;張倩;李曉光;羅海林;楊春雷;肖旭東	申請（專利權）人：	深圳先進技術研究院;香港中文大學
主分類號：	H01L31/0749	分類號：	H01L31/0749
代理公司：	廣州華進聯(lián)合專利商標代理有限公司44224	代理人：	吳平
地址：	518055 廣東省深圳***	國省代碼：	廣東;44
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摘要：
搜索關鍵詞：	材料及其制備方法
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【權利要求書】：

1.一種光伏材料的制備方法，其特征在于，所述光伏材料的分子式為Cu(Al_1-y,X_y)Se₂，其中X為Si，0.1＜y≤0.25，具體包括以下步驟：

采用共蒸鍍法分別加熱蒸發(fā)或者用電子束蒸發(fā)銅、鋁、硒及X元素的靶材，在襯底的表面沉積制備所述光伏材料，所述光伏材料為類似CuAlSe₂的正交晶系黃銅礦型結構，其中X元素替代部分Al原子的晶格位置，所述銅、鋁、硒的靶材的加熱溫度由以下步驟確定：采用共蒸鍍法分別同時加熱銅、鋁、硒的靶材，在襯底表面沉積生成正交晶系黃銅礦型結構的CuAlSe₂材料，并且該CuAlSe₂材料的摩爾比組成為Cu:Al:Se＝1.0:(0.9～1.1):2.0。

2.根據權利要求1所述的光伏材料的制備方法，其特征在于，所述襯底為鍍有鉬層的玻璃基板。

3.根據權利要求1所述的光伏材料的制備方法，其特征在于，在襯底的表面沉積制備所述光伏材料之前先將所述襯底的溫度加熱至240℃～260℃。

4.根據權利要求2所述的光伏材料的制備方法，其特征在于，在襯底的表面沉積制備所述光伏材料的步驟之前還包括步驟：將所述鍍有鉬層的玻璃基板加熱至500℃，在H₂S或者S的氛圍中硫化5-20分鐘，形成50nm厚的MoS₂層。

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