[發(fā)明專利]化學氣相沉積裝置與基片處理方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201510083853.0 | 申請日： | 2015-02-16 |
| 公開（公告）號： | CN105986242B | 公開（公告）日： | 2018-07-13 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 姜銀鑫;杜志游 | 申請（專利權(quán)）人： | 中微半導體設(shè)備（上海）有限公司 |
| 主分類號： | C23C16/44 | 分類號： | C23C16/44;H01L21/67 |
| 代理公司： | 上海智信專利代理有限公司 31002 | 代理人： | 王潔 |
| 地址： | 201201 上海市浦東新*** | 國省代碼： | 上海;31 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 排氣裝置 化學氣相沉積裝置 基片處理 排氣通道 清潔元件 反應(yīng)室 可上下移動 處理氣體 彈性元件 進氣裝置 均勻性 清潔部 沉積 連通 清潔 保證 | ||
【權(quán)利要求書】：
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C23 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面化學處理；金屬材料的擴散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制
C23C 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面擴散法，化學轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態(tài)化合物分解且表面材料的反應(yīng)產(chǎn)物不留存于鍍層中的化學鍍覆，例如化學氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上，例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機材料為特征的
C23C 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面擴散法，化學轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態(tài)化合物分解且表面材料的反應(yīng)產(chǎn)物不留存于鍍層中的化學鍍覆，例如化學氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上，例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機材料為特征的
