[發明專利]半導體器件

在審

• 申請號: 201510083123.0
• 申請日: 2015-02-16
• 公開（公告）號: CN105428360A
• 公開（公告）日: 2016-03-23
• 發明（設計）人: 杉田尚正
• 申請（專利權）人: 株式會社東芝
• 主分類號: H01L27/082
• 分類號: H01L27/082;H01L29/866
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038
• 代理人: 金光華

1.一種半導體器件，具備：

第1半導體區域；

第1導電類型的多個第2半導體區域，選擇性地設置在所述第1半導體區域上；

第2導電類型的多個第3半導體區域，選擇性地設置在所述第1半導體區域上，分別與各所述第2半導體區域鄰接；

分離區域，設置在所述第1半導體區域內，位于相鄰的所述第2半導體區域之間以及相鄰的所述第3半導體區域之間；

第1電極，連接與所述分離區域相鄰的所述第2半導體區域和所述第3半導體區域；

第2電極，連接于所述第2半導體區域；以及

第3電極，連接于所述第3半導體區域。

2.根據權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，

還具備第4半導體區域，該第4半導體區域具有與所述第1半導體區域不同的導電類型，

所述第1半導體區域設置在所述第4半導體區域上。

3.根據權利要求2所述的半導體器件，其特征在于，

所述分離區域到達至所述第4半導體區域。

4.根據權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，

所述分離區域包括：

絕緣層，至少一部分與所述第1半導體區域相接；以及

導電層，經由所述絕緣層，至少一部分設置在所述第1半導體區域內，并連接于所述第1電極。

5.根據權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，

所述分離區域是與所述第1半導體區域不同的導電類型的半導體區域。

6.根據權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，

所述分離區域被設置成包圍所述多個第2半導體區域以及所述多個第3半導體區域。

7.根據權利要求2所述的半導體器件，其特征在于，

還具備第1導電類型的第5半導體區域，

所述第1半導體區域是第1導電類型，

所述第4半導體區域是第2導電類型，

所述第4半導體區域設置在所述第5半導體區域上。

8.根據權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，

所述第1電極、所述第2半導體區域以及所述第3半導體區域向第1方向延伸，

所述第2半導體區域與所述第3半導體區域在相對于所述第1方向正交的第2方向上鄰接，

在所述第2方向上設置了多個所述多個第2半導體區域以及所述多個第3半導體區域。

9.根據權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，還具備：

第1端子，連接于所述第2電極；

第2端子，連接于所述第3電極；以及

密封部件，密封所述多個第2半導體區域、所述多個第3半導體區域以及所述第1電極。

10.根據權利要求9所述的半導體器件，其特征在于，

還具備第3端子，該第3端子連接于所述第1電極。

11.根據權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，還具備：

第2導電類型的第6半導體區域；

第1導電類型的第7半導體區域，形成在所述第6半導體區域上；

第4電極，連接于所述第6半導體區域；以及

第5電極，連接于所述第7半導體區域，

所述第2電極連接于所述第5電極。

12.根據權利要求11所述的半導體器件，其特征在于，

還具備第2導電類型的第8半導體區域，

所述第6半導體區域設置在所述第7半導體區域和所述第8半導體區域之間，

所述第8半導體區域的所述第2導電類型的載流子密度高于所述第6半導體區域的第2導電類型的載流子密度。

13.根據權利要求11所述的半導體器件，其特征在于，還具備：

第1端子，連接于所述第3電極；

第2端子，連接于所述第4電極；以及

密封部件，密封所述多個第2半導體區域、所述多個第3半導體區域、所述第1電極、所述第2電極、所述第3電極、所述第4電極以及所述第5電極。

14.根據權利要求13所述的半導體器件，其特征在于，

還具備第3端子，該第3端子連接于所述第1電極。