[發明專利]在Ge襯底上生長GaAs外延薄膜的方法有效
| 申請號： | 201510082868.5 | 申請日： | 2015-02-16 |
| 公開（公告）號： | CN105986321B | 公開（公告）日： | 2018-08-28 |
| 發明（設計）人： | 賈少鵬;何巍;陸書龍 | 申請（專利權）人： | 中國科學院蘇州納米技術與納米仿生研究所 |
| 主分類號： | C30B29/42 | 分類號： | C30B29/42;C30B25/02;H01L21/02 |
| 代理公司： | 深圳市銘粵知識產權代理有限公司 44304 | 代理人： | 孫偉峰 |
| 地址： | 215123 江蘇省*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | ge 襯底 生長 gaas 外延 薄膜 方法 | ||
【說明書】：
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