[發(fā)明專利]液晶組合物

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201510082391.0
• 申請(qǐng)日: 2015-02-15
• 公開（公告）號(hào): CN104593004B
• 公開（公告）日: 2017-05-24
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李銳;喬云霞;顏希哲;崔青;徐凱
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 石家莊誠(chéng)志永華顯示材料有限公司
• 主分類號(hào): C09K19/44
• 分類號(hào): C09K19/44;G02F1/1333
• 代理公司: 北京市蘭臺(tái)律師事務(wù)所11354
• 代理人: 張峰

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及液晶材料領(lǐng)域，具體的說(shuō)涉及一種具有高抗污染性能。在面板中不易受到框膠、PI的污染的液晶組合物。

背景技術(shù)

近年來(lái)，新型顯示器件、特別是以液晶顯示器(LCD)為首的各種新型平板顯示器件(FPD)得到了迅速發(fā)展，液晶顯示器作為重要的信息電子產(chǎn)品，變得日益舉足輕重，液晶顯示元件是利用液晶材料本身所具備的光學(xué)各向異性和介電各向異性來(lái)進(jìn)行工作的，液晶器件可以根據(jù)液晶材料和工作方式的不同，設(shè)計(jì)成不同的工作模式。

主要的液晶顯示方式有扭曲向列相模式(TN)、超扭曲向列相模式(STN)、光學(xué)補(bǔ)償彎曲模式(OCB)、共面轉(zhuǎn)變液晶顯示(IPS)、垂直取向模式(VA)、軸對(duì)稱微結(jié)構(gòu)液晶顯示(ASM)、多疇扭曲液晶顯示等。

傳統(tǒng)的TN-LCD技術(shù)已發(fā)展為STN-LCD及TFT-LCD技術(shù)，盡管STN的掃描線數(shù)可達(dá)768行以上，但是當(dāng)溫度升高時(shí)仍然存在著響應(yīng)速度、視角以及灰度等問題，因此大面積、高信息量、彩色顯示大多采用有源矩陣顯示方式。

與無(wú)源TN-LCD、STN-LCD的簡(jiǎn)單矩陣不同，有源矩陣在液晶顯示屏的每一個(gè)像素上都設(shè)置有一個(gè)薄膜晶體管(TFT)，可有效的克服非選通時(shí)的串?dāng)_，使顯示液晶屏的靜態(tài)特性與掃描線數(shù)無(wú)關(guān)，因此大幅提高了圖像質(zhì)量。

隨著液晶產(chǎn)品擁有量的增大和使用的深入，人們對(duì)液晶產(chǎn)品在響應(yīng)時(shí)間、對(duì)比度、廣視角及低功耗等方面的顯示品質(zhì)上，也提出了更高的要求，液晶面板的畫面顯示質(zhì)量，是產(chǎn)品評(píng)價(jià)中首先表征出來(lái)的，畫面的均一性的好壞，是直接影響產(chǎn)品質(zhì)量的一個(gè)指標(biāo)。液晶滴入面板后，與框膠和PI發(fā)生接觸，PI中的離子以及框膠易對(duì)液晶造成污染，導(dǎo)致碎亮點(diǎn)以及周邊Mura等顯示不良，這就需要開發(fā)一種抗污染性能較強(qiáng)的液晶，降低顯示不良的發(fā)生率。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明需要解決的技術(shù)問題是提供一種液晶組合物，該液晶組合物具有高抗污染性能。在面板中不易受到框膠、PI的污染，可大幅減少由于框膠穿刺產(chǎn)生的周邊Mura等顯示不良以及由于離子聚集產(chǎn)生的碎亮點(diǎn)等顯示不良。特別適用于高分辨率、快速響應(yīng)的有源矩陣顯示器。為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明選用如下組合物，所述液晶組合物由于所有組分一端具有環(huán)狀結(jié)構(gòu)，使分子整體電子云排布平均化，因而增加液晶穩(wěn)定性，提高液晶抗污染性能。在面板中不易受到框膠、PI的污染，大幅減少由于框膠穿刺產(chǎn)生的周邊Mura等顯示不良以及由于離子聚集產(chǎn)生的碎亮點(diǎn)等顯示不良，而具有環(huán)丁基以及其他環(huán)狀結(jié)構(gòu)的化合物，由于其分子本身不穩(wěn)定，在高溫或紫外條件下極易分解產(chǎn)生自由基，破壞液晶本身的穩(wěn)定性，因此本發(fā)明采用具有環(huán)丙基和環(huán)戊基環(huán)狀結(jié)構(gòu)的化合物，具體所采取的技術(shù)方案是：

本發(fā)明提供了一種液晶組合物，其特征在于，所述液晶組合物包含一種或多種Ⅰ類化合物以及一種或多種Ⅱ類化合物

其中，R₁、R₂各自獨(dú)立地表示H或碳原子數(shù)為1-5的烷基；

環(huán)A1～A4、B1～B4各自獨(dú)立地表示

Z₁、Z₂各自獨(dú)立地表示單鍵、-CF₂O-、-CH₂CH₂-、-CH₂O-、-C≡C-、-OCH₂-或-OCF₂-；

X₁、X₂各自獨(dú)立地表示F、Cl、OCF₃、CF₃、CN、H、碳原子數(shù)為1-5的烷基、碳原子數(shù)為1-5的烷氧基、碳原子數(shù)為2-5的烯氧基、碳原子數(shù)為2-5的烯基或碳原子數(shù)為2-5的氟代烯氧基；

a、d各自獨(dú)立地表示0、1或2；b、c、e、f各自獨(dú)立地表示0或1。

所述一種或多種式Ⅰ所示的化合物為式ⅠA、ⅠB或ⅠC所示化合物中的一種或多種化合物；所述一種或多種式Ⅱ所示的化合物為式ⅡA、ⅡB或ⅡC所示化合物中的一種或多種化合物

其中，R₃～R₈各自獨(dú)立地表示H或碳原子數(shù)為1-5的烷基；

環(huán)C1～C2、D1～D3、E1～E4、F1～F2、G1～G3、H1～H4各自獨(dú)立地表示