[發明專利]用于改進晶片均勻性的裝置和方法

有效

• 申請號: 201510080217.2
• 申請日: 2015-02-13
• 公開（公告）號: CN104882399B
• 公開（公告）日: 2017-12-29
• 發明（設計）人: 凱文·馬丁戈爾;弗朗斯·凱瑟琳·瑟拉亞;李湘云;凱寒·阿比迪·阿施蒂尼
• 申請（專利權）人: 朗姆研究公司
• 主分類號: H01L21/677
• 分類號: H01L21/677;H01L21/67
• 代理公司: 上海勝康律師事務所31263
• 代理人: 樊英如,李獻忠

1.一種半導體處理工具的氣流歧管，該氣流歧管包括：

歧管主體；和

多個歧管氣流路徑，其從所述歧管主體的第一側延伸到所述歧管主體的第二側，其中：

所述歧管主體適于安裝在半導體處理工具中，使得氣體流過所述歧管主體從所述第一側到所述第二側，以及

通過將噴嘴插入到所述歧管氣流路徑中的相應的一個中，所述歧管氣流路徑能從所述歧管主體的所述第一側單獨調節以改變通過所述歧管主體的氣流特性，所述噴嘴包括，

噴嘴主體；和

所述噴嘴主體內的孔，處理氣流能穿過該孔。

2.根據權利要求1所述的氣流歧管，其中所述歧管氣流路徑在所述歧管主體的內部。

3.根據權利要求1所述的氣流歧管，其中具有四個歧管氣流路徑。

4.根據權利要求1所述的氣流歧管，其中，通過從歧管氣流路徑內去除第一噴嘴并插入第二噴嘴到所述歧管氣流路徑內來改變所述氣流特性。

5.根據權利要求4所述的氣流歧管，其中，所述第一噴嘴的所述孔允許的最大氣流速率不同于由所述第二噴嘴的所述孔所允許的最大氣流速率。

6.根據權利要求1-5中任一項所述的氣流歧管，其還包括噴射器，其中，所述噴射器包括：

噴射器主體；以及

多個噴射器氣流路徑，其從所述噴射器主體的第一側延伸到所述噴射器主體的第二側，使得每個噴射器氣流路徑與相應的歧管氣流路徑流體地連接。

7.根據權利要求6所述的氣流歧管，每個噴射器氣流路徑包括：

入口；和

出口，其中所述入口和所述出口流體地連接，并且所述入口和所述出口形成介于30度和60度之間的角度。

8.根據權利要求1-5中任一項所述的氣流歧管，其還包括噴頭，其中所述噴頭包括：

噴頭主體；和

噴頭面板，其包括多個孔，其中每個孔與歧管氣流路徑流體地連接。

9.根據權利要求1-5中任一項所述的氣流歧管，其中所述歧管主體由鋁制成。

10.一種半導體晶片處理工具，其包括：

半導體晶片處理室，所述半導體晶片處理室包括真空可密封室內部；

在所述真空可密封室內部的外部的半導體處理工具的氣流歧管，該氣流歧管包括：

歧管主體；和

多個歧管氣流路徑，其從所述歧管主體的第一側延伸到所述歧管主體的第二側，其中：

所述歧管主體安裝在所述半導體處理工具中，使得氣體流過所述歧管主體從所述第一側到所述第二側，

通過將噴嘴插入到所述歧管氣流路徑中的相應的一個中，所述歧管氣流路徑能從所述真空可密封室內部的外部單獨調節以改變通過所述歧管主體的氣流特性，所述噴嘴包括，

噴嘴主體；和

所述噴嘴主體內的孔，處理氣流能穿過該孔，以及

處理氣體分配裝置，其包括：

所述氣體分配裝置的第一側，其中所述氣體分配裝置的該第一側與從所述歧管主體的所述第二側出來的所述氣流路徑流體地連接，和

所述氣體分配裝置的第二側，其中所述氣體分配裝置的該第二側在所述真空密封室內部內，并且包括用于排放處理氣體到所述真空密封室內部內的特征。

11.根據權利要求10所述的半導體晶片處理工具，其還包括處理氣體源，其中所述處理氣體源與所述多個歧管氣流路徑流體地連接，并且包括用于提供處理氣體到所述歧管氣流路徑的特征。

12.根據權利要求10所述的半導體晶片處理工具，其還包括處理氣體進氣裝置，該處理氣體進氣裝置包括：

進氣裝置主體；

進氣裝置入口，其中，所述進氣裝置入口接收處理氣體；以及

充氣室，該充氣室流體地連接到所述進氣裝置入口和所述歧管氣流路徑，其中，所述充氣室包括用于提供處理氣體到所述歧管氣流路徑的特征。

13.根據權利要求10-12中任一項所述的半導體晶片處理工具，其中：

所述真空密封室內部包括用于支撐半導體晶片的特征，該半導體晶片包括多個晶片區域；以及

所述處理氣體分配裝置的所述第二側包括用于從多個分配區域排放處理氣體的特征，其中，來自各分配區域的處理氣體是瞄準晶片區域的。