[發明專利]襯底處理裝置及半導體器件的制造方法

在審

• 申請號: 201510079380.7
• 申請日: 2015-02-13
• 公開（公告）號: CN105321849A
• 公開（公告）日: 2016-02-10
• 發明（設計）人: 山本哲夫;佐佐木隆史
• 申請（專利權）人: 株式會社日立國際電氣
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67;H01L21/02
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所 11256
• 代理人: 楊宏軍;李文嶼

1.一種襯底處理裝置，其中，

具有簇射頭和設置于所述簇射頭的下游的處理空間，

所述簇射頭包括：頂板、第一分散構造、氣體引導件和第二分散構造，

簇射頭的所述頂板設置有貫通孔，

所述第一分散構造的頂端從所述貫通孔突出，且另一端連接于氣體供給部，

所述氣體引導件具有構成為越向下方越寬的引導部和設置于所述引導部與所述頂板之間且設有至少一個孔的連接部，

所述第二分散構造設置于所述氣體引導件的下游。

2.根據權利要求1所述的襯底處理裝置，其中，

所述第一分散構造與所述氣體引導件的連接部隔著間隙而相鄰。

3.根據權利要求2所述的襯底處理裝置，其中，

在所述第一分散構造設置有分散孔，所述分散孔的上端與所述連接部的下端相比設置于下方。

4.根據權利要求3所述的襯底處理裝置，其中，

所述第一分散構造從所述頂板的上方被插入。

5.根據權利要求2所述的襯底處理裝置，其中，

設于所述第一分散構造的分散孔，與設于所述連接部的孔相比設置于下方。

6.根據權利要求5所述的襯底處理裝置，其中，

所述第一分散構造從所述頂板的上方被插入。

7.根據權利要求2所述的襯底處理裝置，其中，

在所述簇射頭設置有連接于排氣部的排氣孔。

8.根據權利要求7所述的襯底處理裝置，其中，

所述第一分散構造從所述頂板的上方被插入。

9.根據權利要求2所述的襯底處理裝置，其中，

所述第一分散構造從所述頂板的上方被插入。

10.根據權利要求2所述的襯底處理裝置，其中，

在設置于所述第一分散構造的孔連接有排氣管，在所述排氣管設置有開閉閥。

11.根據權利要求10所述的襯底處理裝置，其中，

所述第一分散構造從所述頂板的上方被插入。

12.根據權利要求1所述的襯底處理裝置，其中，

在所述第一分散構造設有分散孔，所述分散孔的上端與所述連接部的下端相比設置于下方。

13.根據權利要求12所述的襯底處理裝置，其中，

所述第一分散構造從所述頂板的上方被插入。

14.根據權利要求1所述的襯底處理裝置，其中，

在所述第一分散構造設有分散孔，所述分散孔與設于所述連接部的孔相比設置于下方。

15.根據權利要求14所述的襯底處理裝置，其中，

所述第一分散構造從所述頂板的上方被插入。

16.根據權利要求1所述的襯底處理裝置，其中，

在所述簇射頭設置有連接于排氣部的排氣孔。

17.根據權利要求16所述的襯底處理裝置，其中，

所述第一分散構造從所述頂板的上方被插入。

18.根據權利要求1所述的襯底處理裝置，其中，

所述第一分散構造從所述頂板的上方被插入。

19.根據權利要求1所述的襯底處理裝置，其中，

在設置于所述第一分散構造的孔連接有排氣管，在所述排氣管設置有開閉閥。

20.一種半導體器件的制造方法，是從氣體供給部經由簇射頭對處理空間供給氣體并在所述處理空間對襯底進行處理的半導體器件的制造方法，

在所述簇射頭的頂板設置有貫通孔，

所述簇射頭包括：

第一分散構造，其頂端從所述貫通孔突出，且另一端連接于氣體供給部；

氣體引導件，其具有構成為越向下越寬的引導部和設置于所述引導部與所述頂板之間且設有至少一個孔的柱狀的連接部；和

設置于所述氣體引導件的下游的第二分散構造，

在對所述處理空間供給氣體時，經由所述第一分散構造、所述第二分散構造進行供給。