[發(fā)明專利]熱處理方法及熱處理裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201510076277.7 | 申請日: | 2015-02-12 |
| 公開(公告)號: | CN104900517B | 公開(公告)日: | 2018-02-27 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 藤田浩;木村貴弘 | 申請(專利權(quán))人: | 斯克林集團公司 |
| 主分類號: | H01L21/324 | 分類號: | H01L21/324;H01L21/67 |
| 代理公司: | 北京同立鈞成知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司11205 | 代理人: | 楊貝貝,臧建明 |
| 地址: | 日本京都府京都市上京區(qū)堀*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 熱處理 方法 裝置 | ||
1.一種熱處理方法,通過對形成有加熱對象物的基材照射光而使所述加熱對象物升溫,并且所述熱處理方法的特征在于包括以下工序:
供給工序,將在低于所述加熱對象物的升溫目標(biāo)溫度的溫度下發(fā)生相轉(zhuǎn)變的相轉(zhuǎn)變物質(zhì)選擇性地供給于供給區(qū)域,其中所述供給區(qū)域至少包含所述基材中必須抑制升溫的升溫抑制區(qū)域;以及
加熱工序,對附著有所述相轉(zhuǎn)變物質(zhì)的基材照射光,對所述加熱對象物進行加熱。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的熱處理方法,其特征在于,所述相轉(zhuǎn)變物質(zhì)的轉(zhuǎn)變溫度低于基材產(chǎn)生熱損傷的溫度。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的熱處理方法,其特征在于,在所述加熱工序中,對基材照射閃光。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的熱處理方法,其特征在于,在所述供給工序中,將含有所述相轉(zhuǎn)變物質(zhì)的液體供給于所述基材。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的熱處理方法,其特征在于,在所述供給工序之前,還包括以下工序:在含有所述相轉(zhuǎn)變物質(zhì)的液體中,添加提高所述液體的粘性的增粘劑。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的熱處理方法,其特征在于,在所述供給工序之前,還包括以下工序:對所述供給區(qū)域?qū)嵤┯H水化處理而賦予親水性。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的熱處理方法,其特征在于,在所述賦予親水性工序之后且所述供給工序之前,還包括以下工序:對所述供給區(qū)域的周圍實施斥水化處理,由斥水性區(qū)域來包圍所述供給區(qū)域。
8.根據(jù)權(quán)利要求4所述的熱處理方法,其特征在于,在所述供給工序中,將含有液相的所述相轉(zhuǎn)變物質(zhì)的液體供給于所述基材。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的熱處理方法,其特征在于,還包括以下工序:使通過所述供給工序而被供給于所述基材的液相的所述相轉(zhuǎn)變物質(zhì)凝固。
10.根據(jù)權(quán)利要求4所述的熱處理方法,其特征在于,在所述供給工序中,將含有使所述相轉(zhuǎn)變物質(zhì)溶解在溶劑中所得的溶液的液體供給于所述基材。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的熱處理方法,其特征在于,還包括:析出工序,從通過所述供給工序而被供給于所述基材的溶液中去除溶劑,使所述相轉(zhuǎn)變物質(zhì)在所述供給區(qū)域析出。
12.根據(jù)權(quán)利要求4所述的熱處理方法,其特征在于,在所述供給工序中,從噴出液滴的噴嘴中將含有所述相轉(zhuǎn)變物質(zhì)的液體噴出到所述供給區(qū)域中。
13.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的熱處理方法,其特征在于,在所述供給工序中,將含有所述相轉(zhuǎn)變物質(zhì)的固體供給于所述基材。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的熱處理方法,其特征在于,在所述供給工序中,將含有固相的所述相轉(zhuǎn)變物質(zhì)的固體供給于所述基材。
15.根據(jù)權(quán)利要求13所述的熱處理方法,其特征在于,在所述供給工序之前,還包括以下工序:將含有所述相轉(zhuǎn)變物質(zhì)的固體融解時所產(chǎn)生的液體的粘性提高的增粘劑添加到所述固體中。
16.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的熱處理方法,其特征在于,
所述供給工序包括以下工序:
對于在與所述供給區(qū)域相對應(yīng)的圖案欲選擇性地附著所述相轉(zhuǎn)變物質(zhì)的印刷版供給所述相轉(zhuǎn)變物質(zhì);以及
將附著在所述印刷版上的所述相轉(zhuǎn)變物質(zhì)轉(zhuǎn)印到所述基材的所述供給區(qū)域上。
17.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的熱處理方法,其特征在于,在所述加熱工序后,還包括將殘留在所述基材上的所述相轉(zhuǎn)變物質(zhì)去除的去除工序。
18.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的熱處理方法,其特征在于,在所述供給工序中,對與形成有所述加熱對象物的所述基材的第1面為相反側(cè)的第2面供給所述相轉(zhuǎn)變物質(zhì)。
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的熱處理方法,其特征在于,在所述供給工序中,使承載有所述相轉(zhuǎn)變物質(zhì)的承載構(gòu)件接近所述第2面,將所述相轉(zhuǎn)變物質(zhì)供給于所述供給區(qū)域。
20.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的熱處理方法,其特征在于,所述相轉(zhuǎn)變物質(zhì)為水。
21.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的熱處理方法,其特征在于,所述基材為長條。
22.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的熱處理方法,其特征在于,所述基材為板狀或片狀。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





