[發(fā)明專利]一種高線性度寬帶巴倫低噪聲放大器

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201510073198.0
• 申請(qǐng)日: 2015-02-11
• 公開（公告）號(hào): CN104579184B
• 公開（公告）日: 2017-10-03
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 黃東;刁盛錫;林福江
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)
• 主分類號(hào): H03F1/26
• 分類號(hào): H03F1/26;H03F1/32
• 代理公司: 北京凱特來知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司11260
• 代理人: 鄭立明,鄭哲

1.一種高線性度寬帶巴倫低噪聲放大器，其特征在于，包括：相互連接的共柵級(jí)與共源級(jí)；

共柵級(jí)對(duì)輸入的射頻信號(hào)正向放大，共源級(jí)對(duì)輸入的射頻信號(hào)反向放大實(shí)現(xiàn)單端信號(hào)到差分信號(hào)的轉(zhuǎn)換，并且該共源級(jí)還采用后失真技術(shù)及噪聲抑制技術(shù)來實(shí)現(xiàn)輸出信號(hào)的高線性度與低噪聲；

所述共源級(jí)包括：共源級(jí)包括共源管M_CS、NMOS管M_cas2，PMOS管M_p，電阻R₁、R₂、R_add、R_CS，以及電容C₂；

其中，共源管M_CS的源端接地，共源管M_CS的襯底和源端串接電阻R_add，共源管M_CS的柵端通過隔直電容C₁與共柵級(jí)相連，并接收輸入的射頻信號(hào)V_in，共源管M_CS的柵端還接電阻R₁的一端，R₁的另一端接偏置電壓Vb₁；該共源管M_CS的漏端還與NMOS管M_cas2的源端相連；

NMOS管M_cas2的柵端接偏置電壓Vb₂，NMOS管M_cas2漏端與PMOS管M_p的漏端相連，NMOS管M_cas2漏端還接共源級(jí)負(fù)載電阻R_CS的一端，并且NMOS管M_cas2漏端還輸出反向射頻放大信號(hào)V_X，電阻R_CS的另一端接電源VDD；

PMOS管M_p的源端接電源VDD，PMOS管M_p柵端通過隔直電容C₂和其自身漏端相連，PMOS管M_p柵端還接電阻R₂的一端，電阻R₂的另一端接偏置電壓Vb_p。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高線性度寬帶巴倫低噪聲放大器，其特征在于，所述共柵級(jí)包括：共柵管M_CG、NMOS管M_cas1與電阻R_CG；

其中，所述共柵管M_CG的柵端接偏置電壓Vb₁，其源端通過綁線連到片外，并通過片外電感L₁接地，電感L₁給共柵級(jí)提供直流通路，并阻塞射頻信號(hào)；

NMOS管M_cas1的源端連接到共柵管M_CG的漏端，NMOS管M_cas1的柵端接偏置電壓Vb₂，NMOS管M_cas1的漏端和電阻R_CG的一端相連，并且NMOS管M_cas1的漏端還輸出正向射頻放大信號(hào)V_y，電阻R_CG的另一端接到電源VDD上。