[發明專利]一種吸濕排汗隱形可顯圖文面料及其生產方法

有效

• 申請號: 201510071865.1
• 申請日: 2015-02-11
• 公開（公告）號: CN104647930B
• 公開（公告）日: 2018-03-13
• 發明（設計）人: 王啟明;許貽東;陳力群;鄧小萍;王華平;王朝生;王勇
• 申請（專利權）人: 泉州海天材料科技股份有限公司
• 主分類號: B41M1/12
• 分類號: B41M1/12;B41M1/26;B41M7/00
• 代理公司: 泉州市文華專利代理有限公司35205
• 代理人: 車世偉

技術領域

本發明屬紡織面料領域，具體涉及一種吸濕排汗隱形可顯圖文面料，本發明還涉及該吸濕排汗隱形可顯圖文面料生產方法。

背景技術

近年來各種功能性針織面料層出不窮，其中具有單向導濕功能的面料，由于其能快速導濕并同時保證與肌膚接觸的織物內層快速干爽而受到人們的青睞，但是其也存在織物外層表面吸濕后影響織物外觀的缺點；目前市場上出現的具有隱形印花功能的面料，其通過在織物的外層表面壓制特制的隱形印花漿料，使得織物表面僅在遇水的情況下顯現出印花圖案；因而若將單向導濕功能與隱形印花功能復合，即可使面料既能保持織物內層快速干爽、同時織物外層吸濕后又能顯現出印花圖案而不影響外表美觀。

為此，申請公布號CN 102700183 A，名稱為“一種單向導濕和隱形印花復合功能面料及其加工工藝”的中國發明專利申請中，公開了一種單向導濕和隱形印花復合功能面料，其包括織物，其特征在于：在所述織物的正面根據預設的印花花型結構及分布規則壓制有具有拒水性能的隱形印花漿料層，所述織物的反面壓制有單向導濕漿料層。該申請中還公開了單向導濕和隱形印花復合功能面料的加工工藝，其特征在于：其包括以下步驟：

(1)調制單向導濕漿料，采用圓網印花機或者平網印花機將所述單向導濕漿料對所述織物的反面進行壓漿處理，然后烘干；

(2)調制隱形印花漿料，采用圓網印花機或者平網印花機將所述隱形印花漿料對所述織物的正面進行壓漿處理，再次烘干；

(3)對經過所述步驟(1)、步驟(2)加工的織物進行干定；

(4)對經過所述步驟(3)加工后的織物進行低溫定型；

其中，步驟(1)與步驟(2)的加工順序可以互換。

然而采用該方案的單向導濕和隱形印花復合功能面料，在使用過程中，存在以下缺陷：其一、該面料只是簡單通過對織物反面進行拒水處理，來實現單向導濕功能，所使用的面料纖維原料并沒有經過改性處理，使得在經單向導濕整理后，整理劑與纖維表面接觸不牢，從而使得面料在使用后其單向導濕功能的耐久性差。其二、因常規滌綸纖維的親水性較差，纖維本身表現出較強的疏水性，只通過對織物的一側進行單項導濕處理，而不對織物另一面進行親水整理，這樣在織物兩面不能形成較強親疏水差，造成面料的導濕效果較差。其三、需對織物進行拒水以及印花處理，而且單向導濕漿料層和隱形印花漿料層采用不同的材料分別處理，加工工藝復雜，生產效率低。

鑒于此，本案發明人對上述問題進行深入研究，遂有本案產生。

發明內容

本發明的目的在于提供一種導濕效果較佳、外表美觀且加工簡易的吸濕排汗隱形可顯圖文面料；

本發明的另一個目的在于提供一種吸濕排汗隱形可顯圖文面料的生產方法，采用該生產方法加工工藝簡單且生產的面料導濕效果較佳。

為了達到上述目的，本發明采用這樣的技術方案：

一種吸濕排汗可顯圖文面料，包括織物，以織物與人體接觸的一面為內表面，相對的另一面為外表面，織物的內表面壓制有單向導濕漿料層，織物的外表面壓制有第一隱形印花圖文，其特征在于：所述織物由高親水性的生物基聚酯纖維織造而成，所述單向導濕漿料層包括親水區和涂覆有第一疏水性單向導濕漿料的疏水區，親水區分布于疏水區的區域范圍內，且親水區由疏水區遠離織物內表面的一側貫通至織物的內表面，所述第一隱形印花圖文由第二疏水性單向導濕漿料壓制而成，第一疏水性單向導濕漿料與第二疏水性單向導濕漿料組分相同。

作為本發明的進一步改進，所述疏水區中設有第二隱形印花圖文。

作為一種優選方式，所述親水區為多個，多個所述親水區均勻布設在所述疏水區中。

本發明還提出一種吸濕排汗可顯圖文面料的生產方法，其包括如下步驟：

(1)、采用圓網印花機或者平網印花機將所述第一疏水性單向導濕漿料在所述織物的內表面進行壓漿處理，形成涂覆有所述第一疏水性單向導濕漿料的所述疏水區和未涂覆有所述第一疏水性單向導濕漿料的所述親水區，采用圓網印花機或者平網印花機將所述第二疏水性單向導濕漿料在所述織物的外表面壓漿處理并形成所述第一隱形印花圖文；

(2)、將步驟(1)處理后的所述織物進行干燥；

(3)、對干燥好的所述織物進行干定。

在上述方案中：步驟(2)干燥的工藝中：溫度115℃～150℃，車速10m/mi n～30m/mi n，步驟(3)干定工藝中：溫度125℃～155℃，車速10m/mi n～30m/mi n。