[發(fā)明專利]半導體裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201510071240.5 | 申請日： | 2015-02-11 |
| 公開（公告）號： | CN104916636B | 公開（公告）日： | 2020-09-01 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 宮沢繁美 | 申請（專利權(quán)）人： | 富士電機株式會社 |
| 主分類號： | H01L27/06 | 分類號： | H01L27/06 |
| 代理公司： | 北京銘碩知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11286 | 代理人： | 韓芳;金玉蘭 |
| 地址： | 日本神奈*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 半導體 裝置 | ||
1.一種半導體裝置，其特征在于，所述半導體裝置為使功率半導體元件開關(guān)的半導體裝置，所述半導體裝置包括：
功率半導體元件；
柵極下拉電路，連接到所述功率半導體元件的柵極端子；
柵極電阻，連接到所述半導體裝置的輸入端子和所述功率半導體元件的柵極端子之間，
所述柵極下拉電路具有恒定電流電路，在輸入到所述輸入端子的信號為低電平時，從所述功率半導體元件的柵極電容抽出電荷，
所述柵極下拉電路包括：
耗盡型MOS晶體管，一端連接到所述半導體裝置的集電極端子；
第一MOS晶體管，一端連接到所述耗盡型MOS晶體管的另一端，另一端連接到所述半導體裝置的發(fā)射極端子；
第二MOS晶體管，柵極端子與所述耗盡型MOS晶體管的柵極端子、所述第一MOS晶體管的柵極端子、所述耗盡型MOS晶體管的另一端以及所述第一MOS晶體管的一端共同連接，一端連接到所述功率半導體元件的柵極端子，另一端連接到所述半導體裝置的發(fā)射極端子或所述輸入端子；
閾值電路，連接到所述輸入端子和所述半導體裝置的發(fā)射極端子之間；
第三MOS晶體管，柵極端子連接到所述閾值電路的輸出端子，一端連接到所述第二MOS晶體管的柵極端子，另一端連接到所述半導體裝置的發(fā)射極端子。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，
所述半導體裝置還包括連接在所述功率半導體元件的柵極端子和所述半導體裝置的集電極端子之間的齊納二極管。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導體裝置，其特征在于，
所述閾值電路在輸入到所述輸入端子的信號大于閾值的情況下，輸出與輸入到所述輸入端子的信號相同的電壓，在輸入到所述輸入端子的信號小于閾值的情況下，輸出0V。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導體裝置，其特征在于，
所述閾值電路包括：
分壓電路，連接在所述輸入端子和所述半導體裝置的發(fā)射極端子之間；
第二耗盡型MOS晶體管和第四MOS晶體管，串聯(lián)連接在所述輸入端子和所述半導體裝置的發(fā)射極端子之間；
第三耗盡型MOS晶體管和第五MOS晶體管，串聯(lián)連接在所述輸入端子和所述半導體裝置的發(fā)射極端子之間，
所述分壓電路的輸出連接到所述第四MOS晶體管的柵極端子，
所述第五MOS晶體管的柵極端子連接到所述第二耗盡型MOS晶體管的柵極端子和源極端子以及所述第四MOS晶體管的漏極端子，
所述第三耗盡型MOS晶體管的柵極端子連接到所述第三耗盡型MOS晶體管的源極端子、所述第五MOS晶體管的漏極端子和所述閾值電路的輸出端子。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導體裝置，其特征在于，
所述閾值電路包括：
分壓電路，連接在所述輸入端子和所述半導體裝置的發(fā)射極端子之間；
第二耗盡型MOS晶體管和第四MOS晶體管，串聯(lián)連接在所述輸入端子和所述半導體裝置的發(fā)射極端子之間；
第三耗盡型MOS晶體管和第五MOS晶體管，串聯(lián)連接在所述輸入端子和所述半導體裝置的發(fā)射極端子之間，
所述分壓電路的輸出連接到所述第四MOS晶體管的柵極端子，
所述第五MOS晶體管的柵極端子連接到所述第二耗盡型MOS晶體管的柵極端子和源極端子以及所述第四MOS晶體管的漏極端子，
所述第三耗盡型MOS晶體管的柵極端子連接到所述第三耗盡型MOS晶體管的源極端子、所述第五MOS晶體管的漏極端子和所述閾值電路的輸出端子。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點的熱電元件的；包括有熱磁組件的
