[發明專利]襯底處理裝置噴頭模塊的滾珠絲杠噴頭模塊調節器組件

有效

• 申請號: 201510069731.6
• 申請日: 2015-02-10
• 公開（公告）號: CN104862672B
• 公開（公告）日: 2019-02-01
• 發明（設計）人: 埃里克·拉塞爾·馬德森
• 申請（專利權）人: 朗姆研究公司
• 主分類號: C23C16/455
• 分類號: C23C16/455
• 代理公司: 上海勝康律師事務所 31263
• 代理人: 樊英如;李獻忠

本發明涉及襯底處理裝置噴頭模塊的滾珠絲杠噴頭模塊調節器組件，具體而言，一種半導體襯底處理裝置包括用于調整裝置的噴頭模塊的平面化的滾珠絲杠噴頭模塊調節器組件。該滾珠絲杠噴頭調節器組件包括被支撐在頂板的階梯開口中的套環；在套環與被至少三個可調的滾珠絲杠支撐在套環上方的調節器板之間形成氣密密封的波紋管，其中該至少三個可調的滾珠絲杠能操作地相對于套環調整調節器板的平面化。絕緣套管延伸通過套管中的開口、波紋管和調節器板。噴頭模塊的桿通過螺母組件被支撐在絕緣套管的開口中，使得桿被支撐并對準在絕緣套管內，以便調節器板的平面化的調整借此調整噴頭模塊的面板的平面化。

技術領域

本發明屬于用于處理半導體襯底的半導體襯底處理裝置，并且可特別適用于執行薄膜的化學氣相沉積。

背景技術

半導體襯底處理裝置被用于通過包括以下技術的技術來處理半導體襯底：物理氣相沉積(PVD)、化學氣相沉積(CVD)、等離子體增強化學氣相沉積(PECVD)、原子層沉積(ALD)、等離子體增強原子層沉積(PEALD)、脈沖沉積層(PDL)、分子層沉積(MLD)、等離子體增強脈沖沉積層(PEPDL)處理、蝕刻和抗蝕劑的去除。一種類型的用于處理半導體襯底的半導體襯底處理裝置包括含有噴頭模塊的反應室和將半導體襯底支撐在該反應室中的襯底基座模塊。噴頭模塊輸送處理氣體到反應器室中，以便可以對半導體襯底進行處理。在這樣的室中安裝和拆卸噴頭模塊可能是耗時的，并且如果噴頭模塊的下表面不平行于襯底基座模塊的上表面，則在襯底處理過程中可能發生進一步的非均勻的膜沉積。

發明內容

本文公開了用于處理半導體襯底的半導體襯底處理裝置。襯底處理裝置包括：化學隔離室，在其中單個的半導體襯底被處理，其中頂板形成化學隔離室的上壁；與化學隔離室流體連通的處理氣體源，其用于將處理氣體供給至化學隔離室中；噴頭模塊，其將處理氣體從處理氣體源輸送至處理裝置的處理區，在該處理區單個的半導體襯底被處理，其中噴頭模塊包括附連到桿的下端的基體，其中具有氣體通道穿過其中的面板形成基體的下表面；以及襯底基座模塊，其被配置成在襯底的處理過程中在面板下方的處理區中支撐半導體襯底。滾珠絲杠噴頭模塊調節器組件將噴頭模塊支撐在頂板中，其中滾珠絲杠噴頭模塊調節器組件能操作地相對于鄰近噴頭模塊的面板的襯底基座模塊的上表面調整噴頭模塊的面板的平面化(planarization)。滾珠絲杠噴頭模塊調節器組件包括：被支撐在頂板的階梯開口中的套環，其中O形環在套環的下表面與階梯開口的水平上表面之間形成氣密密封；在套環與被至少三個可調的滾珠絲杠支撐在套環上方的調節器板之間形成氣密密封的波紋管，其中該至少三個可調的滾珠絲杠能操作地相對于套環調整調節器板的平面化；以及延伸通過套環中的開口、波紋管和調節器板的絕緣套管，其中在絕緣套管的上端上的凸緣被固定地支撐在調節器板的上表面上并且O形環形成其間的氣密密封。噴頭模塊的桿通過螺母組件被支撐在絕緣套管的階梯開口中。螺母組件能操作地抵靠絕緣套管的圓錐形肩擠壓螺母組件下方的桿的錐形/圓錐形肩，使得噴頭模塊的桿被固定地支撐并對準在絕緣套管內，以便調節器板的平面化的調整借此調整噴頭模塊的面板的平面化。

本文還公開了一種滾珠絲杠噴頭模塊調節器組件，其被配置成將噴頭模塊支撐在用于處理半導體襯底的半導體襯底處理裝置的頂板中。滾珠絲杠噴頭模塊調節器組件能操作地相對于被配置成鄰近噴頭模塊的面板的襯底基座模塊的上表面調整噴頭模塊的面板的平面化。滾珠絲杠噴頭模塊調節器組件包括：被配置成支撐在頂板的階梯開口中的套環，其中O形環被配置成在套環的下表面與階梯開口的水平上表面之間形成氣密密封；在套環與被至少三個可調的滾珠絲杠支撐在套環上方的調節器板之間形成氣密密封的波紋管，其中該至少三個可調的滾珠絲杠能操作地相對于套環調整調節器板的平面化；以及延伸通過套環中的開口、波紋管和調節器板的絕緣套管，其中在絕緣套管的上端上的凸緣被固定地支撐在調節器板的上表面并且O形環形成其間的氣密密封。噴頭模塊的桿被配置成通過螺母組件被支撐在絕緣套管的階梯開口中，該螺母組件被配置成抵靠絕緣套管的圓錐形肩擠壓螺母組件下方的桿的錐形/圓錐形肩，使得噴頭模塊的桿被固定地支撐并對準在絕緣套管內，以便調節器板的平面化的調整借此調整噴頭模塊的面板的平面化。

附圖說明