[發明專利]輻射檢測裝置和輻射檢測系統

有效

• 申請號: 201510068263.0
• 申請日: 2015-02-10
• 公開（公告）號: CN104851897B
• 公開（公告）日: 2017-09-01
• 發明（設計）人: 大藤將人;渡邊實;橫山啟吾;川鍋潤;藤吉健太郎;和山弘
• 申請（專利權）人: 佳能株式會社
• 主分類號: H01L27/146
• 分類號: H01L27/146
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所11038
• 代理人: 歐陽帆

1.一種包括多個像素的輻射檢測裝置，其特征在于，該輻射檢測裝置包括：

轉換元件，包含針對各像素分割的第一電極、半導體層和第二電極；

切換元件，與第一電極電連接；以及

第一絕緣層，分離相鄰像素的轉換元件，

其中，半導體層位于第一電極與第二電極之間，

半導體層的外周位于第一電極的外周和第二電極的外周的外面，

半導體層包括包含與第一電極接觸的部分的第一雜質半導體層、包含與第二電極接觸的部分的第二雜質半導體層和位于第一雜質半導體層與第二雜質半導體層之間的本征半導體層，并且，

限定從第一雜質半導體層的外周沿著第一雜質半導體層直到第一雜質半導體層的與第一電極接觸的部分的長度D_L1、從第二雜質半導體層的外周沿著第二雜質半導體層直到第二雜質半導體層的與第二電極接觸的部分的長度D_U、第一雜質半導體層的薄層電阻R_□L1、第二雜質半導體層的薄層電阻R_□U、所述多個像素的像素間距P和切換元件的導通電阻R_on，以將接通切換元件之后10μs的殘留電荷設定為不高于2％。

2.根據權利要求1所述的輻射檢測裝置，其中，滿足：

{D_L1/(4×P)}×R_□L1＜5×R_on，以及

{D_U/(4×P)}×R_□U＜100×R_on。

3.根據權利要求1所述的輻射檢測裝置，其中，從第一電極的外周到半導體層的外周的長度不小于5nm。

4.根據權利要求1所述的輻射檢測裝置，其中，從第一電極的外周到半導體層的外周的長度不小于1μm。

5.根據權利要求1所述的輻射檢測裝置，其中，從第二電極的外周到半導體層的外周的長度不小于5nm。

6.根據權利要求1所述的輻射檢測裝置，其中，從第二電極的外周到半導體層的外周的長度不小于1μm。

7.根據權利要求1所述的輻射檢測裝置，其中，第一雜質半導體層的外周接觸第一絕緣層。

8.根據權利要求1所述的輻射檢測裝置，其中，第一雜質半導體層和第一絕緣層通過本征半導體層相互分離開。

9.根據權利要求8所述的輻射檢測裝置，其中，令D_L3為從第一雜質半導體層的外周到本征半導體層的外周的長度并且R_□L3為本征半導體層的薄層電阻，還滿足：

{D_L1/(4×P)}×R_□L1+{D_L3/(4×P)}×R_□L3＜5×R_on。

10.根據權利要求1所述的輻射檢測裝置，還包括第二絕緣層，所述第二絕緣層使第一電極的外周與第一雜質半導體層相互分離開。

11.根據權利要求1所述的輻射檢測裝置，還包括閃爍體層，所述閃爍體層被布置在所述多個像素上并且將輻射轉換成波長能由轉換元件檢測的光。

12.一種輻射檢測系統，其特征在于，包括：

在權利要求1-11中的任一項中限定的輻射檢測裝置；和

信號處理裝置，用于處理由輻射檢測裝置獲得的信號。