[發明專利]絕緣柵型設備的驅動電路有效
| 申請號： | 201510067781.0 | 申請日： | 2015-02-09 |
| 公開（公告）號： | CN104917503B | 公開（公告）日： | 2019-05-10 |
| 發明（設計）人： | 巖水守生;山科普士 | 申請（專利權）人： | 富士電機株式會社 |
| 主分類號： | H03K17/687 | 分類號： | H03K17/687;H03K17/04 |
| 代理公司： | 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286 | 代理人： | 王穎;金光軍 |
| 地址： | 日本神*** | 國省代碼： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體元件 柵電壓 絕緣柵型 絕緣柵半導體 驅動電路 上拉元件 同一半導體基板 耗盡型MOSFET 寄生晶體管 驅動 構成要素 接地 背柵極 關斷 漏極 源極 施加 外部 | ||
1.一種絕緣柵型設備的驅動電路，其特征在于，
是基于從外部輸入的柵信號而驅動絕緣柵半導體元件的絕緣柵型設備的驅動電路，具備：
柵電壓控制用半導體元件，連接在所述絕緣柵半導體元件的柵極-源極之間；
上拉元件，由在所述柵電壓控制用半導體元件的柵極-漏極之間連接的耗盡型MOSFET構成；和
閾值控制電路，基于所述柵信號對所述柵電壓控制用半導體元件進行驅動控制，
所述閾值控制電路具有由在所述絕緣柵半導體元件的柵極以及源極之間連接的N型耗盡MOSFET、二極管、和N型增強MOSFET組成的串聯電路，所述二極管以及N型增強MOSFET的連接點與上拉元件和柵電壓控制用半導體元件的連接點連接，
所述柵電壓控制用半導體元件通過施加在所述絕緣柵半導體元件的柵極的電壓而驅動，
構成所述上拉元件的耗盡型MOSFET的背柵極接地，
在N型基板形成p型區域，所述閾值控制電路的N型耗盡MOSFET、N型增強MOSFET，構成所述上拉元件的耗盡型MOSFET，以及所述柵電壓控制用半導體元件形成于所述p型區域，所述二極管連接在所述閾值控制電路的N型耗盡MOSFET與N型增強MOSFET之間，所述p型區域接地。
2.根據權利要求1所述的絕緣柵型設備的驅動電路，其特征在于，
所述柵電壓控制用半導體元件在所述柵信號的電壓值在比所述柵電壓控制用半導體元件的閾值電壓高的預定的基準電壓以上時，成為截止狀態，僅在所述柵信號的電壓值低于所述基準電壓時，能夠驅動控制為導通狀態。
3.根據權利要求1所述的絕緣柵型設備的驅動電路，其特征在于，具備：
所述二極管用于防止電流從所述上拉元件向所述閾值控制電路的高電位側電源流動。
4.根據權利要求3所述的絕緣柵型設備的驅動電路，其特征在于，
在所述N型基板上，將所述絕緣柵半導體元件形成為縱型。
5.根據權利要求1至4中任意一項所述的絕緣柵型設備的驅動電路，其特征在于，
具有檢測所述絕緣柵半導體元件中流過的電流且至少具有電流檢測MOSFET的電流檢測部，所述電流檢測MOSFET的背柵極接地。
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