[發(fā)明專利]半導(dǎo)體裝置的制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201510067440.3
• 申請日: 2015-02-09
• 公開（公告）號: CN105321802B
• 公開（公告）日: 2018-06-19
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 奧城慎太郎;吉野健一;福水裕之;加藤賢
• 申請（專利權(quán)）人: 東芝存儲器株式會社
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;H01L27/146
• 代理公司: 永新專利商標(biāo)代理有限公司 72002
• 代理人: 徐殿軍

1.一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，具備：

在半導(dǎo)體層表面形成凹部的工序；

在所述半導(dǎo)體層表面的凹部的表面形成熔點(diǎn)比所述半導(dǎo)體層低的緩沖層的工序；

在所述緩沖層上形成熔點(diǎn)比所述半導(dǎo)體層高的高熔點(diǎn)膜而將所述凹部填充的工序；以及

以所述緩沖層的熔點(diǎn)以上的溫度對形成有所述緩沖層及所述高熔點(diǎn)膜的半導(dǎo)體層進(jìn)行加熱的工序，

在形成所述緩沖層的工序中，在所述半導(dǎo)體層的表面和所述凹部的表面形成所述緩沖層。

2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，

所述緩沖層是非晶硅層。

3.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，

所述緩沖層是多晶硅層。

4.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，

所述非晶硅層通過離子注入而形成。

5.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，

在對所述半導(dǎo)體層進(jìn)行加熱的工序中，具備通過激光進(jìn)行加熱的工序。

6.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，

使所述緩沖層含有P導(dǎo)電型的摻雜劑。

7.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，

所述高熔點(diǎn)膜通過硅氧化膜形成。

8.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，

所述半導(dǎo)體層具有多個半導(dǎo)體元件，

所述半導(dǎo)體層設(shè)置于在內(nèi)部形成有規(guī)定的布線的絕緣膜之上，

所述凹部設(shè)置成將所述多個半導(dǎo)體元件各個分離。

9.如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，

所述半導(dǎo)體元件是光電轉(zhuǎn)換元件。