[發明專利]一種新型薄膜沉積鋁前驅體及其制備方法

有效

• 申請號: 201510067153.2
• 申請日: 2015-02-09
• 公開（公告）號: CN104557999B
• 公開（公告）日: 2019-06-25
• 發明（設計）人: 丁玉強;楊淑艷;苗紅艷;杜立永
• 申請（專利權）人: 江南大學
• 主分類號: C07F5/06
• 分類號: C07F5/06;C23C16/12;H01L51/40
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種薄膜沉積鋁前驅體，其特征在于，具有結構式(I)的分子結構:

其中，R₁、R₂、R₃、R₄、R₅表示氫原子。

2.一種制備如權利要求1所述的一種薄膜沉積鋁前驅體的方法，其特征在于按照以下化學式反應：

其中，R₁、R₂、R₃、R₄、R₅、R₆、R₇、R₈、R₉、R₁₀、R₁₁表示氫原子。

3.如權利要求2的方法，其中，包括以下步驟：

(1)將包括鋁烷的第二反應物置于反應容器中，加溶劑攪拌均勻，將包括胺基吡啶的第一反應物在低溫條件下加入反應容器中，室溫攪拌或加熱攪拌反應過夜；所述的低溫條件為-78℃至0℃，使用選自液氮、干冰、液氨、低溫循環泵的任意一種冷卻手段及其組合；

(2)將步驟(1)中的混合物過濾，低壓濃縮，得到很少量的固液混合物，加入溶劑，靜置過夜，得到無色塊狀晶體，即為前驅體(I)。

4.如權利要求3的方法，其中，室溫攪拌或加熱攪拌的時間為1至10小時。

5.如權利要求3的方法，其中，室溫攪拌或加熱攪拌的溫度為25℃至150℃。

6.如權利要求3的方法，其中，第一反應物與第二反應物的投料摩爾比為1.0:1.0至1.0:3.0。

7.如權利要求3的方法，其中，溶劑選自以下有機溶劑的任意一種及其組合：選自C₅H₁₂～C₈H₁₈直鏈或支鏈烷烴、C₅H₁₀～C₈H₁₆環狀烷烴的烷烴；選自苯、甲苯的芳香烴；選自乙醚、四氫呋喃的醚類。

8.一種半導體器件制造方法，包括采用CVD或ALD工藝制備含有鋁元素的薄膜，所述薄膜采用如權利要求1所述的鋁前驅體制造，其中，所述薄膜包括鋁金屬薄膜、含鋁的氧化物薄膜、含鋁的氮化物薄膜、含鋁的合金薄膜的任意一種及其組合。