[發(fā)明專利]一種防止因VR的上MOS擊穿燒毀CPU的設計方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201510066183.1 | 申請日： | 2015-02-09 |
| 公開（公告）號： | CN104571450A | 公開（公告）日： | 2015-04-29 |
| 發(fā)明（設計）人： | 吳福寬;武寧 | 申請（專利權）人： | 浪潮電子信息產業(yè)股份有限公司 |
| 主分類號： | G06F1/28 | 分類號： | G06F1/28;H02H3/24 |
| 代理公司： | 濟南信達專利事務所有限公司 37100 | 代理人： | 姜明 |
| 地址： | 250101 山東*** | 國省代碼： | 山東;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 防止 vr mos 擊穿 燒毀 cpu 設計 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種防止因VR的上MOS擊穿燒毀CPU的設計方法，其特征在于，
在輸入電容端并聯一個PMOS，通過偵測VR輸入電容兩端的電壓來判斷VR的上MOS是否被擊穿；一但上MOS發(fā)生擊穿，立即把P12V拉低，并觸發(fā)輸入電壓的短路保護，從而實現整個系統(tǒng)掉電，保護CPU不會被燒壞。
2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，當輸入電容兩端的電壓低于設定的電壓值，則立即觸發(fā)12V的電壓對地導通，系統(tǒng)的12V觸發(fā)短路保護，切斷系統(tǒng)供電鏈路。
3.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，PMOS的G極連接3.3V電壓，S極連接輸入電容的正極，D極連接地。
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