[發(fā)明專(zhuān)利]一種防止因VR的上MOS擊穿燒毀CPU的設(shè)計(jì)方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201510066183.1
• 申請(qǐng)日: 2015-02-09
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN104571450A
• 公開(kāi)（公告）日: 2015-04-29
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 吳福寬;武寧
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 浪潮電子信息產(chǎn)業(yè)股份有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): G06F1/28
• 分類(lèi)號(hào): G06F1/28;H02H3/24
• 代理公司: 濟(jì)南信達(dá)專(zhuān)利事務(wù)所有限公司 37100
• 代理人: 姜明

1.一種防止因VR的上MOS擊穿燒毀CPU的設(shè)計(jì)方法，其特征在于，

在輸入電容端并聯(lián)一個(gè)PMOS，通過(guò)偵測(cè)VR輸入電容兩端的電壓來(lái)判斷VR的上MOS是否被擊穿；一但上MOS發(fā)生擊穿，立即把P12V拉低，并觸發(fā)輸入電壓的短路保護(hù)，從而實(shí)現(xiàn)整個(gè)系統(tǒng)掉電，保護(hù)CPU不會(huì)被燒壞。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，當(dāng)輸入電容兩端的電壓低于設(shè)定的電壓值，則立即觸發(fā)12V的電壓對(duì)地導(dǎo)通，系統(tǒng)的12V觸發(fā)短路保護(hù)，切斷系統(tǒng)供電鏈路。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，PMOS的G極連接3.3V電壓，S極連接輸入電容的正極，D極連接地。