[發明專利]一種基于梯度結構空穴注入傳輸的紫外有機電致發光器件及其制備方法

在審

• 申請號: 201510065767.7
• 申請日: 2015-02-09
• 公開（公告）號: CN104681730A
• 公開（公告）日: 2015-06-03
• 發明（設計）人: 張小文;莫炳杰;陳國華;許積文;王華
• 申請（專利權）人: 桂林電子科技大學
• 主分類號: H01L51/50
• 分類號: H01L51/50;H01L51/56
• 代理公司: 桂林市華杰專利商標事務所有限責任公司 45112
• 代理人: 劉梅芳

1.一種基于梯度結構空穴注入傳輸的紫外有機電致發光器件，包括襯底層、陽極層、發光層、電子傳輸層、電子注入層、反射金屬陰極層，其特征是，還包括梯度結構空穴注入傳輸體系層，所述襯底層、陽極層、梯度結構空穴注入傳輸體系層、發光層、電子傳輸層、電子注入層、反射金屬陰極層順序疊接為一體，從陽極層由正向負連接反射金屬陰極層構成外電路。

2.根據權利要求1所述的基于梯度結構空穴注入傳輸的紫外有機電致發光器件，其特征是，所述的梯度結構空穴注入傳輸體系層包括由順序疊接的第一空穴注入層、第一空穴傳輸層、第二空穴注入層、第二空穴傳輸層組成的具有梯度結構的一個多層體系，第一空穴注入層與陽極層疊接，第二空穴傳輸層與發光層疊接。

3.根據權利要求2所述的基于梯度結構空穴注入傳輸的紫外有機電致發光器件，其特征是，所述的第二空穴傳輸層的HOMO能級高于第一空穴傳輸層。

4.根據權利要求2所述的基于梯度結構空穴注入傳輸的紫外有機電致發光器件，其特征是，所述的第一空穴注入層為CuPc或MoO₃，CuPc表示Copper-phthalocyanine；

第一空穴傳輸層為NPB材料，NPB表示N,N’-bis(naphthalen-1-yl)-N,N’-bis(phenyl)?benzidine；

第二空穴注入層為MoO₃；

第二空穴傳輸層為CBP材料，CBP表示4,4'-bis(carbazol-9-yl)biphenyl。

5.根據權利要求2所述的基于梯度結構空穴注入傳輸的紫外有機電致發光器件，其特征是，所述的第一空穴注入層CuPc的厚度為2nm-5nm；MoO₃的厚度為2nm-15nm；

第一空穴傳輸層的厚度為10nm-40nm；

第二空穴注入層的厚度為2nm-15nm；

第二空穴傳輸層的厚度為15nm-50nm。

6.?根據權利要求1所述的基于梯度結構空穴注入傳輸的紫外有機電致發光器件，其特征是，所述的電子傳輸層為OXD-7材料，OXD-7表示1,3-bis[2-(4-tert-butylphenyl)-1,3,4-oxadiazo-5-yl]benzene；

電子注入層為LiF或Cs₂CO₃材料；

反射金屬陰極層為Al。

7.?根據權利要求6所述的基于梯度結構空穴注入傳輸的紫外有機電致發光器件，其特征是，所述的電子傳輸層厚度為10nm-60nm；

電子注入層LiF的厚度為0.5nm-1nm，Cs₂CO₃的厚度為1nm-3nm；

反射金屬陰極層的厚度不小于100nm。

8.?一種基于梯度結構空穴注入傳輸的紫外有機電致發光器件的制備方法，其特征是，包括如下步驟：

1）選取覆蓋有氧化銦錫的玻璃作為襯底和陽極材料，依次采用丙酮、乙醇和純水洗凈襯底和陽極后烘干，經紫外-臭氧處理10-20分鐘；

2）在真空度優于5×10^-4Pa的條件下采用熱蒸鍍工藝在氧化銦錫陽極層上依次沉積第一空穴注入層、第一空穴傳輸層、第二空穴注入層、第二空穴傳輸層、發光層、電子傳輸層、電子注入層；

3）在不破壞真空的條件下更換掩膜板，沉積反射金屬陰極層；

4）從陽極層由正向負連接反射金屬陰極層構成外電路。