[發明專利]具有可變調整參數的存儲器設備有效
| 申請號: | 201510065492.7 | 申請日: | 2015-02-09 |
| 公開(公告)號: | CN104851462B | 公開(公告)日: | 2018-11-20 |
| 發明(設計)人: | 北川真;囯廣恭史;大塚涉;對馬朋人 | 申請(專利權)人: | 索尼半導體解決方案公司 |
| 主分類號: | G11C17/16 | 分類號: | G11C17/16 |
| 代理公司: | 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038 | 代理人: | 李曉芳 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 具有 可變 調整 參數 存儲器 設備 | ||
1.一種存儲器設備,包括:
包括多個存儲器單元的存儲器陣列;
耦接到所述存儲器陣列的兩個或更多個熔絲,其中兩個或更多個熔絲的每一個包含針對所述存儲器陣列的調整參數;
用于選擇所述兩個或更多個熔絲中要啟動的一個熔絲的模式寄存器;
查找表,其中所述調整參數被加載到所述查找表中;以及
耦接到所述兩個或更多個熔絲、所述模式寄存器和所述查找表的多路選擇器,其中所述多路選擇器在所述兩個或更多個熔絲與所述查找表之間,并且所述多路選擇器基于存儲在所述模式寄存器中的數據向所述查找表輸出所選的要啟動的熔絲的調整參數。
2.如權利要求1所述的存儲器設備,其中熔絲中的調整參數包含針對所述存儲器陣列的一個或多個操作參數。
3.如權利要求2所述的存儲器設備,其中調整參數至少包括設置電壓、設置電流、重置電壓、重置電流、設置脈沖寬度、重置脈沖寬度、校驗位的數量、設置位的數量和讀電壓。
4.如權利要求1所述的存儲器設備,其中存儲器設備是NAND存儲器設備。
5.一種用于為具有可變調整設置的存儲器設備選擇模式的方法,包括:
在模式寄存器中存儲用于從用于操作存儲器設備的多個模式中選擇一個模式的接收到的輸入;
選擇對應于所選模式的熔絲,其中在所選的熔絲中存儲有調整參數;
使用多路選擇器,基于存儲在所述模式寄存器中的接收到的輸入來輸出存儲在所選的熔絲中的調整參數;
將存儲在所述熔絲中并且由多路選擇器輸出的所述調整參數加載到查找表中;以及
使用存儲在所述熔絲中的調整參數操作所述存儲器設備。
6.如權利要求5所述的方法,其中熔絲中的調整參數包含針對存儲器磁芯的一個或多個操作參數。
7.如權利要求6所述的方法,其中調整參數至少包括設置電壓、設置電流、重置電壓、重置電流、設置脈沖寬度、重置脈沖寬度、校驗位的數量、設置位的數量和讀電壓。
8.如權利要求5所述的方法,其中存儲器設備是NAND存儲器設備。
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