[發(fā)明專利]一種RF MEMS器件雙層光刻膠犧牲層的制備方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201510065208.6
• 申請日: 2015-02-09
• 公開（公告）號: CN104627956B
• 公開（公告）日: 2018-12-07
• 發(fā)明（設計）人: 劉曉蘭;黨元蘭;莊志學
• 申請（專利權）人: 中國電子科技集團公司第五十四研究所
• 主分類號: B81C1/00
• 分類號: B81C1/00;G03F7/16
• 代理公司: 河北東尚律師事務所 13124
• 代理人: 王文慶

1.一種RF MEMS器件雙層光刻膠犧牲層的制備方法，其特征在于包括以下步驟：

步驟1，第一犧牲層(2)的制備：在具有底層結構(1)的RF MEMS樣件上首先用負膠進行旋涂和前烘，在RF MEMS樣件上形成負膠膜；負膠膜的厚度小于底層結構(1)的高度；對第一犧牲層區(qū)域內的負膠膜進行曝光，然后通過顯影將第一犧牲層區(qū)域外的負膠膜進行去除；其中，所述的具有底層結構的RF MEMS樣件包括RF MEMS樣件的基底(6)和通過濺射或電鍍方式制作在基底上的底層結構(1)；

步驟2，第一犧牲層的固化：將步驟1處理后的RF MEMS樣件130℃～140℃烘烤10min～20min；

步驟3，第二犧牲層(3)的制備：在步驟2處理后的RF MEMS樣件上用正膠進行旋涂和前烘，在具有第一犧牲層的RF MEMS樣件上形成正膠膜；正膠膜的厚度大于底層結構(1)與第一犧牲層(2)的高度差；對第二犧牲層區(qū)域外的正膠膜進行曝光，通過顯影將第二犧牲層區(qū)域外的正膠膜進行去除；

步驟4，第二犧牲層的固化：將步驟3處理后的RF MEMS樣件110℃～130℃烘烤10min～30min；

完成RF MEMS器件雙層光刻膠犧牲層的制備。

2.根據(jù)權利要求1所述的一種RF MEMS器件雙層光刻膠犧牲層的制備方法，其特征在于：在步驟3的曝光過程中采用的掩膜版帶有光刻孔(5)。