[發(fā)明專利]一種金屬間化合物薄膜的制備方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201510065103.0 | 申請(qǐng)日： | 2015-02-09 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN104651898B | 公開（公告）日： | 2018-01-16 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 黃明亮;趙寧;張志杰;楊帆;黃斐斐;馬海濤;趙杰 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 大連理工大學(xué) |
| 主分類號(hào)： | C25D11/00 | 分類號(hào)： | C25D11/00 |
| 代理公司： | 大連理工大學(xué)專利中心21200 | 代理人： | 梅洪玉 |
| 地址： | 116024 遼*** | 國(guó)省代碼： | 遼寧;21 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 金屬 化合物 薄膜 制備 方法 | ||
1.一種金屬間化合物薄膜的制備方法，其特征在于，
提供第一金屬基底(10)，所述第一金屬基底(10)上采用電鍍、濺射、氣相沉積或蒸鍍制備第一釬料金屬層(12)，第一金屬基底(10)的材質(zhì)為Cu、Ni、Pd、Au、Ag和Fe中的一種，第一釬料金屬層(12)的材質(zhì)為Sn、In、SnAg、SnAu、SnCu中的一種；
提供第二金屬基底(20)；
所述第一金屬基底(10)和第二金屬基底(20)具有相同的材質(zhì)；
所述第一金屬基底(10)為單晶或具有擇優(yōu)取向；
第一金屬基底(10)和第二金屬基底(20)之間施加直流電流以形成電流密度；所述電流密度定義為I/S，所述I為通過第一金屬基底(10)的電流值，所述S為第一金屬基底(10)的橫截面積；
兩金屬基底之間的釬料發(fā)生釬焊反應(yīng)生成金屬間化合物薄膜(30)，金屬間化合物薄膜(30)沿所述直流電流的方向具有單一取向。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征還在于以下步驟：
步驟一：第二金屬基底(20)上采用電鍍、濺射、氣相沉積或蒸鍍制備第二釬料金屬層(22)；
所述第一釬料金屬層(12)和第二釬料金屬層(22)具有相同的材質(zhì)；
步驟二：第一釬料金屬層(12)和第二釬料金屬層(22)的表面涂覆焊劑(40)；
步驟三：將第一釬料金屬層(12)和第二釬料金屬層(22)對(duì)準(zhǔn)，面對(duì)面接觸放置，形成一個(gè)組合體；
步驟四：將步驟三形成的組合體加熱至所需溫度下進(jìn)行釬焊回流，直至第一釬料金屬層(12)和第二釬料金屬層(22)熔化后發(fā)生釬焊反應(yīng)全部轉(zhuǎn)變?yōu)榻饘匍g化合物；
所述電流密度不小于0.5×104A/cm2；
所述金屬間化合物在釬焊回流過程中第一金屬基底(10)上形成、生長(zhǎng)；
所述第二金屬基底(20)在釬焊反應(yīng)后仍有殘余；
所述第一釬料金屬層(12)和第二釬料金屬層(22)的總厚度為0.1～1000μm；
步驟五：去除殘余第二金屬基底(20)，獲得附著于第一金屬基底(10)上的金屬間化合物薄膜(30)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征還在于以下步驟：
步驟一：第一釬料金屬層(12)和第二金屬基底(20)的表面涂覆焊劑(40)；
步驟二：將第一釬料金屬層(12)和第二金屬基底(20)對(duì)準(zhǔn)，面對(duì)面接觸放置，形成一個(gè)組合體；
步驟三：將步驟二形成的組合體加熱至所需溫度下進(jìn)行釬焊回流，直至第一釬料金屬層(12)熔化后發(fā)生釬焊反應(yīng)全部轉(zhuǎn)變?yōu)榻饘匍g化合物；
所述電流密度不小于0.5×104A/cm2；
所述金屬間化合物在釬焊回流過程中于第一金屬基底(10)上形成、生長(zhǎng)；
所述第二金屬基底(20)在釬焊反應(yīng)后仍有殘余；
所述第一釬料金屬層(12)的厚度為0.1～1000μm；
步驟四：去除殘余第二金屬基底(20)，獲得附著于第一金屬基底(10)上的金屬間化合物薄膜(30)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1、2或3所述的一種金屬間化合物薄膜的制備方法，其特征在于，所述電流密度的范圍是0.5×104A/cm2～1.0×104A/cm2。
5.根據(jù)權(quán)利要求1、2或3所述的一種金屬間化合物薄膜的制備方法，其特征在于，所述電流密度的范圍是1.0×104A/cm2～2.0×104A/cm2。
6.根據(jù)權(quán)利要求1、2或3所述的一種金屬間化合物薄膜的制備方法，其特征在于，所述電流密度的范圍是2.0×104A/cm2～3.0×104A/cm2。
7.根據(jù)權(quán)利要求1、2或3所述的一種金屬間化合物薄膜的制備方法，其特征在于，所述電流密度的范圍是3.0×104A/cm2～6.0×104A/cm2。
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