[發明專利]一種顯示基板及其制備方法和一種顯示設備有效
| 申請號: | 201510065091.1 | 申請日: | 2015-02-06 |
| 公開(公告)號: | CN104659067B | 公開(公告)日: | 2018-12-18 |
| 發明(設計)人: | 閆光;吳長晏;孫力 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56 |
| 代理公司: | 北京三高永信知識產權代理有限責任公司 11138 | 代理人: | 張所明 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 顯示 及其 制備 方法 設備 | ||
1.一種顯示基板,其特征在于,所述顯示基板包括多個像素,每個像素劃分有多個發光單元,每個發光單元包括陽極、陰極、載流子傳輸層和發光層,其中:
所述多個發光單元中的至少一個發光單元中包括一個發光層和至少一個工藝輔助層;
所述工藝輔助層與其它發光單元中的發光層是使用相同的材料經過一次鍍膜形成的一個整體;
所述多個發光單元分別為第一發光單元、第二發光單元、第三發光單元和第四發光單元,每個像素中的所述第一發光單元、所述第二發光單元、所述第三發光單元和所述第四發光單元依次排列;
所述第一發光單元的發光層包括第一發光層,所述第二發光單元中包括第一工藝輔助層及第二發光層,所述第三發光單元中包括第三發光層及第二工藝輔助層,所述第四發光單元中包括第四發光層;
其中,所述第一發光層和所述第一工藝輔助層是使用相同的材料經過一次鍍膜形成的一個整體,所述第二發光層和所述第三發光層是使用相同的材料經過一次鍍膜形成的一個整體,所述第二工藝輔助層和所述第四發光層是使用相同的材料經過一次鍍膜形成的一個整體。
2.根據權利要求1所述的顯示基板,其特征在于,所述第一工藝輔助層與所述第二發光層之間包括第一阻擋層,所述第三發光層與所述第二工藝輔助層之間包括第二阻擋層,其中,所述第一阻擋層與所述第二阻擋層是使用相同的材料經過一次鍍膜形成的一個整體。
3.根據權利要求2所述的顯示基板,其特征在于,所述載流子傳輸層包括空穴傳輸層,所述第一阻擋層和所述第二阻擋層均用于阻擋第一載流子和激子,所述第一載流子為空穴,所述第一發光單元中的空穴傳輸層包括第一空穴傳輸層及第二空穴傳輸層,所述第二發光單元中的空穴傳輸層包括第三空穴傳輸層、第四空穴傳輸層及第五空穴傳輸層,所述第三發光單元中的空穴傳輸層包括第六空穴傳輸層及第七空穴傳輸層,所述第四發光單元的空穴傳輸層包括第八空穴傳輸層;
其中,所述第一空穴傳輸層、所述第三空穴傳輸層、所述第六空穴傳輸層及所述第八空穴傳輸層是使用相同的材料經過一次鍍膜形成的一個整體,所述第二空穴傳輸層及所述第四空穴傳輸層是使用相同的材料經過一次鍍膜形成的一個整體,所述第五空穴傳輸層及所述第七空穴傳輸層是使用相同的材料經過一次鍍膜形成的一個整體。
4.根據權利要求3所述的顯示基板,其特征在于,所述第一發光單元對應的微腔的腔長為第一預設腔長,所述二發光單元對應的微腔的腔長為第二預設腔長,所述第三發光單元對應的微腔的腔長為第三預設腔長,所述第四發光單元對應的微腔的腔長為第四預設腔長。
5.根據權利要求3所述的顯示基板,其特征在于,所述每個發光單元對應的陽極的厚度相同。
6.根據權利要求1所述的顯示基板,其特征在于,所述第二發光層及所述第三發光層由對應的頻率范圍中包括紅光和綠光的頻率的一種發光材料構成;或者,所述第二發光層及所述第三發光層的材料包含第一發光材料和第二發光材料,所述第一發光材料為對應的頻率范圍中包括紅光的頻率的發光材料,所述第二發光材料為對應的頻率范圍中包括綠光的頻率的發光材料;
所述第一發光層及所述第一工藝輔助層由對應的頻率范圍中包括天藍光的頻率的發光材料構成;
所述第二工藝輔助層及所述第四發光層由對應的頻率范圍中包括深藍光的頻率的發光材料構成。
7.根據權利要求1所述的顯示基板,其特征在于,所述第二發光層及所述第三發光層由對應的頻率范圍中包括紅光和綠光的頻率的一種發光材料構成;或者,所述第二發光層及所述第三發光層的材料包含第一發光材料和第二發光材料,所述第一發光材料為對應的頻率范圍中包括紅光的頻率的發光材料,所述第二發光材料為對應的頻率范圍中包括綠光的頻率的發光材料;
所述第一發光層及所述第一工藝輔助層由對應的頻率范圍中包括天藍光的頻率的發光材料構成;
所述第二工藝輔助層及所述第四發光層由對應的頻率范圍中包括綠光的頻率的發光材料構成。
8.一種顯示設備,其特征在于,所述顯示設備包括權利要求1-7中任一項所述的顯示基板。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





