[發明專利]一種高傳輸率高回波損耗高隔離度光子晶體光橋有效
| 申請號: | 201510065064.4 | 申請日: | 2015-02-06 |
| 公開(公告)號: | CN104932055B | 公開(公告)日: | 2018-06-05 |
| 發明(設計)人: | 歐陽征標;黃浩 | 申請(專利權)人: | 歐陽征標;深圳大學 |
| 主分類號: | G02B6/10 | 分類號: | G02B6/10;G02B6/122 |
| 代理公司: | 深圳市科吉華烽知識產權事務所(普通合伙) 44248 | 代理人: | 胡吉科 |
| 地址: | 518060 廣東*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 光子晶體 光子晶體波導 波導 回波損耗 傳輸率 介質柱 輸入端 高隔離度 輸出端 光橋 垂直 十字形交叉 波導缺陷 端口輸出 互不干擾 十字交叉 圓形缺陷 中心區域 交界處 正中心 光路 禁帶 傳輸 | ||
1.一種高傳輸率高回波損耗高隔離度光子晶體光橋,其特征在于:它包括一個具有禁帶的光子晶體和光子晶體波導,還包括兩個輸入端和兩個輸出端;所述光子晶體波導的左端口、上端口、右端口和下端口分別為第一輸入端、第二輸入端、第一輸出端和第二輸出端;所述光子晶體波導為在所述光子晶體中移除1排、2排、3排或者4排介質柱后的結構;所述光子晶體波導由光子晶體垂直波導和光子晶體水平波導在其中部呈十字形交叉構成;所述光子晶體十字波導內設置兩種波導缺陷介質柱;第一種波導缺陷介質柱為圓形缺陷介質,第二種波導缺陷介質柱為方形缺陷介質柱;在所述光子晶體波導的四個端口分別設置2個第一種波導缺陷介質柱,所述第二種波導缺陷介質柱位于垂直波導與水平波導的交界處正中心;所述光子晶體波導的信號光從左端口和上端口入射,所述左端口入射的光波從右端口輸出,所述上端口入射的光波從下端口輸出;兩束光波在共用中心區域形成光路的十字交叉而進行互不干擾的傳輸,各自沿直線方向從不同端口輸出。
2.按照權利要求1所述的高傳輸率高回波損耗高隔離度光子晶體光橋,其特征在于:所述光子晶體為高折射率介質和低折射率介質構成的二維周期結構。
3.按照權利要求1所述的高傳輸率高回波損耗高隔離度光子晶體光橋,其特征在于:所述光子晶體波導呈十字形狀。
4.按照權利要求1所述的高傳輸率高回波損耗高隔離度光子晶體光橋,其特征在于:所述光子晶體波導為二維光子晶體波導,包括正方晶格二維光子晶體波導、蜂窩結構二維光子晶體波導和三角晶格二維光子晶體波導。
5.按照權利要求2所述的高傳輸率高回波損耗高隔離度光子晶體光橋,其特征在于:所述光子晶體中的高折射率介質為折射率大于2的介質。
6.按照權利要求2所述的高傳輸率高回波損耗高隔離度光子晶體光橋,其特征在于:所述光子晶體中的高折射率介質為硅、砷化鎵或者二氧化鈦。
7.按照權利要求6所述的高傳輸率高回波損耗高隔離度光子晶體光橋,其特征在于:所述光子晶體中的高折射率介質為硅。
8.按照權利要求2所述的高傳輸率高回波損耗高隔離度光子晶體光橋,其特征在于:所述光子晶體中的低折射率介質為折射率小于1.5的介質。
9.按照權利要求2所述的高傳輸率高回波損耗高隔離度光子晶體光橋,其特征在于:所述光子晶體中的低折射率介質為空氣、真空、氟化鎂或者二氧化硅。
10.按照權利要求9所述的高傳輸率高回波損耗高隔離度光子晶體光橋,其特征在于:所述光子晶體中的低折射率介質為空氣。
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