[發(fā)明專利]二極管

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201510064902.6
• 申請日: 2015-02-06
• 公開（公告）號: CN104835857A
• 公開（公告）日: 2015-08-12
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 木山誠;松浦尚;島津充
• 申請（專利權(quán)）人: 住友電氣工業(yè)株式會社
• 主分類號: H01L29/872
• 分類號: H01L29/872;H01L29/16;H01L29/161;H01L29/20;H01L29/06
• 代理公司: 中原信達知識產(chǎn)權(quán)代理有限責任公司 11219
• 代理人: 李蘭;孫志湧

1.一種二極管，包括：

有源層；和

第一和第二電極，所述第一和第二電極用于向所述有源層施加正向電壓和反向電壓，

在經(jīng)由所述第一和第二電極向所述有源層施加所述正向電壓時的所述二極管的正向電流-電壓特性中，電壓關(guān)于電流的變化被定義為正向?qū)娮鑂，其中，所述正向?qū)娮鑂的單位為mΩ，

與經(jīng)由所述第一和第二電極產(chǎn)生所述二極管的擊穿時的所述反向電壓的2/3倍一樣高的所述反向電壓被定義為反向阻斷電壓V_阻斷，其中，所述阻斷電壓的單位為V，并且

利用雙脈沖方法，通過在下述條件下對二極管電流I積分得到的電荷被定義為所述二極管的響應(yīng)電荷Q，其中，所述響應(yīng)電荷Q的單位為nC，所述條件是：

(a)反向電壓Vr：2/3×V_阻斷，

(b)關(guān)斷速度di/dt：-200A/μs，和

(c)二極管電流I的積分范圍：從二極管電流I穿過0的時間點直到所述二極管電流I恢復至反向電流峰值的10％的時間點的范圍，

在25℃的測量溫度下，所述正向?qū)娮鑂和所述響應(yīng)電荷Q的乘積R·Q滿足R·Q≤0.25×V_阻斷²的關(guān)系。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的二極管，其中

所述乘積R·Q滿足R·Q≤0.1×V_阻斷²的關(guān)系。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的二極管，其中

形成所述二極管的半導體材料是硅。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的二極管，其中

所述乘積R·Q滿足R·Q≤4.7×10^-3×V_阻斷²的關(guān)系。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的二極管，其中

形成所述二極管的半導體材料是碳化硅。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的二極管，其中

所述乘積R·Q滿足R·Q≤1.3×10^-3×V_阻斷²的關(guān)系。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的二極管，其中

形成所述二極管的半導體材料是氮化鎵。

8.根據(jù)權(quán)利要求4至7中的任一項所述的二極管，其中

所述二極管包括形成在所述有源層中的邊緣終止結(jié)構(gòu)，并且所述邊緣終止結(jié)構(gòu)具有不小于5μm且不大于200μm的寬度。