[發(fā)明專利]一種像素單元結(jié)構(gòu)、有機(jī)發(fā)光顯示面板及顯示裝置在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201510064727.0 | 申請(qǐng)日: | 2015-02-06 |
| 公開(公告)號(hào): | CN104600097A | 公開(公告)日: | 2015-05-06 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 吳長(zhǎng)晏;辛龍寶 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 京東方科技集團(tuán)股份有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L27/32 | 分類號(hào): | H01L27/32;H01L51/52 |
| 代理公司: | 北京銀龍知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11243 | 代理人: | 許靜;黃燦 |
| 地址: | 100015 *** | 國(guó)省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 像素 單元 結(jié)構(gòu) 有機(jī) 發(fā)光 顯示 面板 顯示裝置 | ||
1.一種像素單元結(jié)構(gòu),所述像素單元結(jié)構(gòu)包括多個(gè)亞像素,所述亞像素包括發(fā)射白光的有機(jī)發(fā)光層,所述像素單元結(jié)構(gòu)利用微腔效應(yīng)實(shí)現(xiàn)多顏色顯示,其中,一種所述亞像素用于顯示一種顏色;
其特征在于:
所述像素單元結(jié)構(gòu)中包括白色亞像素,所述白色亞像素對(duì)應(yīng)的微腔長(zhǎng)度,與第一亞像素的微腔長(zhǎng)度的比值大于等于三;
所述第一亞像素的微腔長(zhǎng)度大于除所述白色亞像素之外其他亞像素對(duì)應(yīng)的微腔長(zhǎng)度。
2.如權(quán)利要求1所述的像素單元結(jié)構(gòu),其特征在于,所述白色亞像素對(duì)應(yīng)的微腔長(zhǎng)度為1微米。
3.如權(quán)利要求1所述的像素單元結(jié)構(gòu),其特征在于,還包括:
公共電極,設(shè)置于所述有機(jī)發(fā)光層的第一側(cè),所述公共電極為半透半反電極;
反射電極,設(shè)置于所述有機(jī)發(fā)光層的第二側(cè),所述反射電極的數(shù)量與所述像素單元所包括的亞像素?cái)?shù)量對(duì)應(yīng);
微腔長(zhǎng)度控制電極,設(shè)置于對(duì)應(yīng)的反射電極與有機(jī)發(fā)光層之間,所述微腔長(zhǎng)度控制電極具有對(duì)應(yīng)的厚度,以使對(duì)應(yīng)的反射電極與公共電極之間具有對(duì)應(yīng)的距離,所述反射電極與公共電極之間的距離為所述微腔長(zhǎng)度。
4.如權(quán)利要求3所述的像素單元結(jié)構(gòu),其特征在于,還包括:
第一透明介電質(zhì),設(shè)置于所述白色亞像素對(duì)應(yīng)的反射電極和微腔長(zhǎng)度控制電極之間。
5.如權(quán)利要求3所述的像素單元結(jié)構(gòu),其特征在于,還包括:
第二透明介電質(zhì),設(shè)置于除白色亞像素對(duì)應(yīng)的反射電極之外其他反射電極遠(yuǎn)離所述微腔長(zhǎng)度控制電極的一側(cè)。
6.如權(quán)利要求4所述的像素單元結(jié)構(gòu),其特征在于,所述白色亞像素對(duì)應(yīng)的微腔長(zhǎng)度控制電極的厚度大于0.5微米;或者
所述第一透明介電質(zhì)與所述白色亞像素對(duì)應(yīng)的微腔長(zhǎng)度控制電極的厚度之和大于0.5微米。
7.如權(quán)利要求4或6所述的像素單元結(jié)構(gòu),其特征在于,所述白色亞像素對(duì)應(yīng)的微腔長(zhǎng)度控制電極的厚度為1微米;或者
所述第一透明介電質(zhì)與所述白色亞像素對(duì)應(yīng)的微腔長(zhǎng)度控制電極的厚度之和為1微米。
8.如權(quán)利要求4所述的像素單元結(jié)構(gòu),其特征在于,與所述白色亞像素對(duì)應(yīng)的反射電極與微腔長(zhǎng)度控制電極通過形成于所述第一透明介電質(zhì)的過孔電連接。
9.如權(quán)利要求3所述的像素單元結(jié)構(gòu),其特征在于,所述微腔長(zhǎng)度控制電極的材質(zhì)為透明導(dǎo)電氧化物。
10.如權(quán)利要求3所述的像素單元結(jié)構(gòu),其特征在于,所述公共電極為有機(jī)發(fā)光層的陰極,所述微腔長(zhǎng)度控制電極和/或反射電極為有機(jī)發(fā)光層的陽極;或者
所述公共電極為有機(jī)發(fā)光層的陽極,所述微腔長(zhǎng)度控制電極和/或反射電極為有機(jī)發(fā)光層的陰極。
11.如權(quán)利要求3所述的像素單元結(jié)構(gòu),其特征在于,所述公共電極的厚度15納米;
所述反射電極的厚度為200納米。
12.如權(quán)利要求3所述的像素單元結(jié)構(gòu),其特征在于,所述公共電極的材質(zhì)為鋁、銀、鎂或者合金;
所述反射電極的材質(zhì)為鋁、銀。
13.如權(quán)利要求1所述的像素單元結(jié)構(gòu),其特征在于,所述像素單元結(jié)構(gòu)包括至少用于顯示白、紅、綠、藍(lán)四種顏色的亞像素;
所述第一亞像素為紅色亞像素。
14.一種有機(jī)發(fā)光顯示面板,其特征在于,包括多個(gè)如權(quán)利要求1至13任一項(xiàng)所述的像素單元結(jié)構(gòu)。
15.一種顯示裝置,其特征在于,包括如權(quán)利要求14所述的有機(jī)發(fā)光顯示面板。
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H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的;包括至少有一個(gè)躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的;包括有熱磁組件的
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