[發明專利]半導體器件的制造方法

在審

• 申請號: 201510063611.5
• 申請日: 2015-02-06
• 公開（公告）號: CN104835752A
• 公開（公告）日: 2015-08-12
• 發明（設計）人: 川邊直樹
• 申請（專利權）人: 瑞薩電子株式會社
• 主分類號: H01L21/603
• 分類號: H01L21/603;H01L21/607
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038
• 代理人: 羅銀燕

1.一種半導體器件的制造方法，包括以下步驟：

(a)提供包含前表面、在前表面上形成的保護膜、以及在保護膜中形成的開口中從保護膜露出的第一電極焊盤的半導體芯片；以及

(b)在步驟(a)之后，連接在線的頂端形成的球部與第一電極焊盤，

其中，第一電極焊盤包含鋁基材料，

其中，在第一電極焊盤的從保護膜露出的部分上形成溝槽，

其中，球部包含比金硬的材料，以及

其中，步驟(b)包括以下步驟：

(b1)使球部與第一電極焊盤接觸，以使得球部與第一電極焊盤的溝槽重疊，

(b2)在步驟(b1)之后，向球部施加負載，并且在第一電極焊盤的厚度方向上按壓球部，以及

(b3)在步驟(b2)之后，向球部施加超聲波。

2.根據權利要求1所述的半導體器件的制造方法，

其中，在步驟(b3)處，施加在沿著半導體芯片的前表面的第一方向上振蕩的超聲波，以及

其中，第一電極焊盤的溝槽具有沿與第一方向相交的第二方向延伸的第一部分。

3.根據權利要求1所述的半導體器件的制造方法，

其中，在步驟(b3)處，施加在沿著半導體芯片的前表面的第一方向上振蕩的超聲波，以及

其中，第一電極焊盤的溝槽具有沿與第一方向相交的第二方向延伸的多個第一部分。

4.根據權利要求1所述的半導體器件的制造方法，

其中，在平面圖中，第一電極焊盤的周邊被保護膜覆蓋。

5.根據權利要求4所述的半導體器件的制造方法，

其中，在步驟(b3)處，施加在沿著半導體芯片的前表面的第一方向上振蕩的超聲波，

其中，半導體芯片具有包含第一電極焊盤的多個電極焊盤，

其中，在平面圖中，電極焊盤沿前表面的每個邊被布置，

其中，半導體芯片的前表面具有沿作為在步驟(b3)處施加的超聲波的施加方向的第一方向延伸的第一邊、以及在與第一邊相交的方向上延伸的第二邊，

其中，在平面圖中，電極焊盤包含沿第一邊布置的第一電極焊盤和沿第二邊布置的第二電極焊盤，以及

其中，在第一電極焊盤和第二電極焊盤中的每一個中制成溝槽。

6.根據權利要求1所述的半導體器件的制造方法，

其中，在步驟(b3)處，施加在沿著半導體芯片的前表面的第一方向上振蕩的超聲波，

其中，半導體芯片具有包含第一電極焊盤的電極焊盤，

其中，在平面圖中，電極焊盤沿前表面的每個邊被布置，

其中，半導體芯片的前表面具有沿作為在步驟(b3)處施加的超聲波的施加方向的第一方向延伸的第一邊、以及在與第一邊相交的方向上延伸的第二邊，

其中，在平面圖中，電極焊盤包含沿第一邊布置的第一電極焊盤和沿第二邊布置的第二電極焊盤，以及

其中，在第一電極焊盤中的每一個中制成溝槽，并且在第二電極焊盤中的每一個中不包含溝槽。

7.根據權利要求1所述的半導體器件的制造方法，

其中，在步驟(b3)處，施加在沿著半導體芯片的前表面的第一方向上振蕩的超聲波，以及

其中，第一電極焊盤的溝槽具有沿與第一方向相交的第二方向延伸的第一部分、以及與第一部分相交的第二部分。

8.根據權利要求1所述的半導體器件的制造方法，

其中，在步驟(b3)處，施加在沿著半導體芯片的前表面的第一方向上振蕩的超聲波，以及

其中，第一電極焊盤的溝槽具有沿與第一方向相交的第二方向延伸的多個第一部分、以及與第一部分中的每一個相交的第二部分。

9.根據權利要求8所述的半導體器件的制造方法，

其中，半導體芯片具有包含第一電極焊盤的電極焊盤，

其中，在平面圖中，電極焊盤沿前表面的每個邊被布置，

其中，半導體芯片的前表面具有沿作為在步驟(b3)處施加的超聲波的施加方向的第一方向延伸的第一邊、以及在與第一邊相交的方向上延伸的第二邊，

其中，在平面圖中，電極焊盤包含沿第一邊布置的第一電極焊盤和沿第二邊布置的第二電極焊盤，以及

其中，在第一電極焊盤和第二電極焊盤中的每一個中制成溝槽。