[發明專利]一種圖形制作方法、陣列基板及顯示裝置有效
| 申請號: | 201510062159.0 | 申請日: | 2015-02-05 |
| 公開(公告)號: | CN104617041B | 公開(公告)日: | 2018-06-26 |
| 發明(設計)人: | 苗青;吳俊 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司;北京京東方顯示技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/77 | 分類號: | H01L21/77;H01L27/12;G02F1/1337 |
| 代理公司: | 北京銀龍知識產權代理有限公司 11243 | 代理人: | 許靜;黃燦 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 凹槽結構 功能圖案 絕緣層 刻蝕 圖案層 圖形制作 顯示裝置 陣列基板 漏光現象 摩擦工藝 像素區域 有效減少 非凹槽 基板 凸起 平坦 保留 | ||
本發明提供一種圖形制作方法陣列基板、顯示裝置,涉及顯示領域。其中,方法包括:在所述絕緣層上刻蝕出與所述功能圖案相同的凹槽結構,所述凹槽結構的厚度小于所述絕緣層的厚度;在刻蝕有所述凹槽結構的基板上形成待刻蝕為功能圖案的圖案層;刻蝕非凹槽結構上的所述圖案層,得到由保留在所述凹槽結構上的圖案層形成的所述功能圖案。本發明的方案能夠有效減少絕緣層上形成的功能圖案的凸起,使像素區域的邊緣附近更加平坦,從而提高了PI薄膜的摩擦工藝,避免發生漏光現象。
技術領域
本發明涉及顯示領域,特別是一種圖形制作方法、陣列基板及顯示裝置。
背景技術
液晶顯示裝置包括陣列基板、彩膜基板以及設置在陣列基板和彩膜基板之間的液晶。為了使得陣列基板和彩膜基板在不加電壓的情況下穩定液晶方向,需要在陣列基板上設置有PI(Polyimide,聚酰亞胺)薄膜。
圖1為在TFT基板上摩擦PI薄膜的示意圖(以頂柵結構為例),從圖中可以看出,目前絕緣層上方的源電極6、漏電極7、半導體層圖案8均是存在凸起的,因此像素區域9的邊緣附近會存在段差h,當輥子10在摩擦PI薄膜過程中會因段差h而形成盲區Rubbing Shadow。這樣一來,盲區中的PI薄膜因未被摩擦到而導致液晶分子排列混亂,使得光無法按照預期方向折射,發生像素區域邊緣的漏光現象。
發明內容
本發明要解決的技術問題是提供一種圖形制作方法陣列基板、顯示裝置,能夠有效減少功能圖案在絕緣層上形成的凸起。
為解決上述技術問題,本發明的實施例提供技術方案如下:
一方面,本發明實施例提供了一種圖形制作方法,用于在最上層為絕緣層的基板上形成功能圖案,所述圖形制作方法包括:
在所述絕緣層上刻蝕出與所述功能圖案相同的凹槽結構,所述凹槽結構的厚度小于所述絕緣層的厚度;
在刻蝕有所述凹槽結構的基板上形成待刻蝕為功能圖案的圖案層;
刻蝕掉非凹槽結構上的所述圖案層,得到由保留在所述凹槽結構上的圖案層形成的所述功能圖案。
其中,所述功能圖案為半導體層圖案;所述圖案層為半導體層。
或者,所述功能圖案為源漏電極圖案;所述圖案層為源漏電極金屬層。
再或者,所述功能圖案為半導體層圖案和源漏電極圖案;所述圖案層為半導體層和源漏電極金屬層。
其中,在所述絕緣層上刻蝕出與所述功能圖案相同的凹槽結構,包括:
在所述絕緣層上逐次按照所述半導體層圖案以及源漏電極圖案進行刻蝕;或在所述絕緣層上按照所述半導體層圖案以及源漏電極圖案組成的符合圖案進行刻蝕。
另一方面,本發明實施例還提供了一種陣列基板,所述陣列基板的絕緣層具有凹槽結構,形成在所述絕緣層上的功能圖案至少一部分與所述凹槽結構重疊。
此外,本發明實施例還提供了一種顯示裝置,包括上述的陣列基板。
本發明的上述技術方案的有益效果如下:
在本發明的方案中,絕緣層上的凹槽可抵消其上面功能圖案的凸起,因此可使像素區域的邊緣附近更加平坦,進而提高了PI薄膜摩擦工藝,避免發生漏光現象。
附圖說明
圖1為在現有技術的TFT基板上摩擦PI薄膜的示意圖;
圖2為本發明的圖形制作方法的步驟示意圖;
圖3A-圖3E為本發明實施例一制作圖形的工藝示意圖;
圖4為發明實現方式一中,像素區域在基板上的結構示意圖;
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H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
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H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





