[發明專利]利用電子/空穴阻擋激子阻擋層增強有機光伏電池開路電壓有效
| 申請號: | 201510062121.3 | 申請日: | 2010-01-12 |
| 公開(公告)號: | CN104835912B | 公開(公告)日: | 2018-11-02 |
| 發明(設計)人: | 史蒂芬·R·福里斯特;李寧 | 申請(專利權)人: | 密歇根大學董事會 |
| 主分類號: | H01L51/44 | 分類號: | H01L51/44;H01L51/48;H01L51/46 |
| 代理公司: | 中原信達知識產權代理有限責任公司 11219 | 代理人: | 李寶泉;周亞榮 |
| 地址: | 美國密*** | 國省代碼: | 美國;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 電子阻擋層 空穴阻擋層 光敏光電子器件 功率轉換效率 有機光伏電池 激子阻擋層 光伏電池 開路電壓 空穴阻擋 暗電流 電子泄漏 效果顯示 改進 | ||
1.一種有機光敏光電子器件,包括:
兩個電極,所述兩個電極包括處于重疊關系的陽極和陰極;
至少一種施主材料和至少一種受主材料,其中,所述至少一種施主材料和所述至少一種受主材料彼此相鄰并且在所述兩個電極之間形成感光區域;以及
位于所述兩個電極之間并且與所述至少一種施主材料相鄰的至少一個電子阻擋層,其中,所述電子阻擋層包括MoO3并且具有范圍為至的厚度;以及
位于所述兩個電極之間并且與所述至少一種受主材料相鄰的至少一個空穴阻擋層,其中所述至少一個空穴阻擋層:
-具有比所述受主材料的HOMO能級低的HOMO能級;
-具有與所述受主材料的LUMO能級相等或比所述受主材料的LUMO能級低的LUMO能級;
-具有在所述空穴阻擋層的LUMO能級和所述受主材料的HOMO能級之間的界面間隙,其中所述界面間隙導致比所述施主材料和所述受主材料之間的生成/重新結合電流Igr小的生成/重新結合電流;以及
-包括選自有機半導體、無機半導體、聚合物和金屬氧化物的至少一種材料;以及
其中,所述有機光敏光電子器件是有機太陽能電池。
2.根據權利要求1所述的器件,其中所述至少一種施主材料包括選自CuPc、SnPc和方酸的至少一種材料。
3.根據權利要求1所述的器件,其中所述至少一種受主材料包括選自C60和PTCBI的至少一種材料。
4.根據權利要求1所述的器件,其中,所述至少一個電子阻擋層的厚度范圍為至
5.根據權利要求1所述的器件,其中,所述空穴阻擋層的厚度范圍為至
6.根據權利要求1所述的器件,其中,至少一個所述空穴阻擋層包括選自萘四甲酸二酐(NTCDA)、對-雙(三苯基硅基)苯(UGH2)、3,4,9,10-苝四甲酸二酐(PTCDA)和7,7,8,8-四氰基對苯二醌二甲烷(TCNQ)的至少一種有機半導體材料。
7.根據權利要求1所述的器件,其中,所述空穴阻擋層包括選自TiO2、GaN、ZnS、ZnO、ZnSe、SrTiO3、KaTiO3、BaTiO3、MnTiO3、PbO、WO3和SnO2的至少一種材料。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機材料作有源部分或使用有機材料與其他材料的組合作有源部分的固態器件;專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的;具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射;專門適用于將這些輻射能轉換為電能,或者適用于通過這樣的輻射進行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發射的,如有機發光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇





