[發(fā)明專利]一種集成磁光功能的玻璃基離子交換光波導(dǎo)芯片有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201510062105.4 | 申請日: | 2015-02-06 |
| 公開(公告)號: | CN104656187B | 公開(公告)日: | 2018-04-20 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 郝寅雷;馮澤明;余輝;李宇波;楊建義;周強(qiáng);江曉清;王明華 | 申請(專利權(quán))人: | 浙江大學(xué) |
| 主分類號: | G02B6/122 | 分類號: | G02B6/122 |
| 代理公司: | 杭州求是專利事務(wù)所有限公司33200 | 代理人: | 林懷禹 |
| 地址: | 310027 浙*** | 國省代碼: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 集成 功能 玻璃 離子交換 波導(dǎo) 芯片 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及集成光器件,具體涉及一種集成磁光功能的玻璃基離子交換光波導(dǎo)芯片。
背景技術(shù)
玻璃是一種優(yōu)質(zhì)光學(xué)材料,不僅用于傳統(tǒng)光學(xué)儀器的構(gòu)建,也是一種重要的集成光學(xué)基片材料。玻璃基光波導(dǎo)器件具有成本低、工藝簡單、傳輸損耗低、偏振相關(guān)性小、制作容差性大、可批量生產(chǎn)等顯著特點(diǎn)。自1972年,第一篇關(guān)于玻璃基光波導(dǎo)器件的論文發(fā)表以來,離子交換玻璃基光波導(dǎo)技術(shù)一直受到研究者和產(chǎn)業(yè)界的重視
玻璃基光波導(dǎo)器件一般采用離子交換法制作。離子交換過程中,玻璃基片中的一價陽離子(通常是鈉離子)與來自熔鹽或者金屬膜的摻雜離子(譬如銀離子,鉀離子,銅離子,銫離子,鉈離子)進(jìn)行交換,摻雜離子從熔鹽進(jìn)入玻璃,并在玻璃基片上形成離子擴(kuò)散區(qū),該離子擴(kuò)散區(qū)具有較高的折射率,形成波導(dǎo)的芯部,與玻璃基片共同構(gòu)成光波導(dǎo)。
受到來自磁光隔離器、以及基于磁場傳感原理的多種傳感器應(yīng)用的需求牽引,在集成光學(xué)芯片上磁光功能的集成變成一個新興的研究熱點(diǎn),玻璃基片上的集成型磁光器件也因此受到了極大關(guān)注。磁光光波導(dǎo)制作是構(gòu)建磁光功能集成的基礎(chǔ),也是實(shí)現(xiàn)磁光功能集成必須解決的核心問題。
玻璃基磁光波導(dǎo)片磁光波導(dǎo)的制作主要有兩條途徑。第一條途徑是用離子交換法在磁光玻璃基片1上制作高折射率區(qū)2,形成波導(dǎo)(如圖1所示)。這條途徑的一個問題是只能在整個玻璃基片1上實(shí)現(xiàn)磁光功能,難以在玻璃基片1選定的區(qū)域?qū)崿F(xiàn)磁光功能,在光波導(dǎo)芯片設(shè)計(jì)過程中靈活性不強(qiáng)。
玻璃基片上實(shí)現(xiàn)磁光波導(dǎo)制作的二條途徑是首先在玻璃基片3上形成條形離子擴(kuò)散區(qū)4,然后在條形離子擴(kuò)散區(qū)4一側(cè)引入磁光材料層5(譬如YIG晶體),即通過制作復(fù)合光波導(dǎo)實(shí)現(xiàn)磁光功能。這種光波導(dǎo)的結(jié)構(gòu)如圖2所示。這條途徑制作的磁光波導(dǎo)解決了器件設(shè)計(jì)的靈活性問題,然而,這種途徑仍面臨兩個挑戰(zhàn):其一,為了實(shí)現(xiàn)波導(dǎo)中較大的非互易相移,要求磁光材料層5的光學(xué)參數(shù)與玻璃基片3光學(xué)參數(shù)之間的匹配。其二,需要解決磁光材料層5與玻璃基片3之間結(jié)合的技術(shù)問題。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種集成磁光功能的玻璃基離子交換光波導(dǎo)芯片。
本發(fā)明解決其技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是:
本發(fā)明的玻璃基片表面上需要磁光功能的區(qū)域具有鐵磁金屬納米顆粒摻雜區(qū);通過離子交換方法在玻璃基片中形成條形離子擴(kuò)散區(qū),在鐵磁金屬納米顆粒摻雜區(qū)中形成具有磁光功能的條形離子擴(kuò)散區(qū);條形離子擴(kuò)散區(qū)的折射率高于玻璃基片的折射率,具有磁光功能的條形離子擴(kuò)散區(qū)的折射率高于鐵磁金屬納米顆粒摻雜區(qū)的折射率,條形離子擴(kuò)散區(qū)和具有磁光功能的條形離子擴(kuò)散區(qū)共同構(gòu)成條形光波導(dǎo)的芯部。
所述玻璃基片為硅酸鹽玻璃,或者硼酸鹽玻璃。
所述鐵磁金屬納米顆粒摻雜層中的鐵磁金屬為Fe、Co或Ni。
所述形成條形離子擴(kuò)散區(qū)的離子為K+、Ag+、Tl+、Cs+、Li+或Rb+離子。
本發(fā)明具有的有益效果是:
本發(fā)明可以在光波導(dǎo)芯片上的所需區(qū)域?qū)崿F(xiàn)磁光波導(dǎo)的制作,實(shí)現(xiàn)玻璃基片上磁光功能的集成,并且具有制作工藝簡單,耦合效率高等顯著特點(diǎn),為實(shí)現(xiàn)玻璃基集成光學(xué)芯片的磁光功能的集成提供了新的結(jié)構(gòu),使玻璃基集成光學(xué)芯片的設(shè)計(jì)更加靈活。
附圖說明
圖1是采用離子交換法在磁光玻璃基片1中制作的光波導(dǎo)橫截面結(jié)構(gòu)示意圖。
圖2是通過在玻璃基片3上通過引入磁光材料層5制作的復(fù)合光波導(dǎo)橫截面結(jié)構(gòu)示意圖。
圖3是本發(fā)明的集成磁光功能的玻璃基離子交換光波導(dǎo)芯片。
圖4是本發(fā)明的集成磁光功能的玻璃基離子交換光波導(dǎo)芯片制作過程示意圖。
圖中:1、磁光玻璃基片,2、高折射率區(qū),3、玻璃基片,4、條形離子擴(kuò)散區(qū),5、磁光材料層,6、鐵磁金屬納米顆粒摻雜區(qū),7、具有磁光功能的條形離子擴(kuò)散區(qū),8、Cr-Au掩膜,9、Al掩膜。
具體實(shí)施方式
下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對本發(fā)明作進(jìn)一步說明。
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