[發明專利]有機發光顯示設備有效
| 申請號: | 201510062026.3 | 申請日: | 2015-02-05 |
| 公開(公告)號: | CN104851984B | 公開(公告)日: | 2018-06-08 |
| 發明(設計)人: | 尹錫奎;金東贊;金元鐘;金應道;徐東揆;宋英宇;李鐘赫 | 申請(專利權)人: | 三星顯示有限公司 |
| 主分類號: | H01L51/52 | 分類號: | H01L51/52;H01L27/32 |
| 代理公司: | 北京德琦知識產權代理有限公司 11018 | 代理人: | 嚴芬;康泉 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 有機發光顯示設備 第二電極 第一電極 第三層 第一層 中間層 基板 有機發射層 導電材料 功函數 偶極子 | ||
1.一種有機發光顯示設備,包括:
基板;
在所述基板上的第一電極;
在所述第一電極上且包括有機發射層的中間層;以及
第二電極,所述第二電極包括含偶極子材料的第一層、含具有3.6eV或更小的功函數的材料的第二層、以及含導電材料的第三層,所述第一層至所述第三層被順序地布置在所述中間層上,
其中所述第二電極進一步包括第四層,所述第四層位于所述第二層和所述第三層之間并且包括鐿和銀的化合物,并且
其中所述第四層的厚度小于所述第一層和所述第二層的相應厚度。
2.根據權利要求1所述的有機發光顯示設備,其中所述第一層至所述第三層分別由氟化鋰、鐿和銀形成。
3.根據權利要求1所述的有機發光顯示設備,其中所述第二層至所述第四層的片電阻值是5Ω/cm2或更小。
4.根據權利要求1所述的有機發光顯示設備,其中所述第一層的厚度在0.5nm至5nm之間。
5.根據權利要求4所述的有機發光顯示設備,其中所述第二層的厚度在0.5nm至5nm之間。
6.根據權利要求5所述的有機發光顯示設備,其中所述第三層的厚度在5nm至30nm之間。
7.根據權利要求1所述的有機發光顯示設備,其中所述第一層包括氟化物系化合物或氯化物系化合物。
8.根據權利要求1所述的有機發光顯示設備,其中所述第二層包括金屬、金屬合金或金屬氧化物。
9.根據權利要求1所述的有機發光顯示設備,其中所述第三層包括銀、鋁、銦錫氧化物、銦鋅氧化物、氧化鋅、氧化銦、銦鎵氧化物、鋁鋅氧化物、納米線和石墨烯中的至少之一。
10.根據權利要求1所述的有機發光顯示設備,其中所述第一電極包括反射金屬層和透明導電氧化物層。
11.根據權利要求10所述的有機發光顯示設備,其中所述第一電極包括通過順序地堆疊銦錫氧化物、銀和銦錫氧化物形成的堆疊層結構,并且所述第一電極中銀層的厚度是或更大。
12.根據權利要求1所述的有機發光顯示設備,其中所述第二層的厚度在0.5nm至5nm之間。
13.根據權利要求1所述的有機發光顯示設備,其中所述第三層的厚度在5nm至30nm之間。
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- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機材料作有源部分或使用有機材料與其他材料的組合作有源部分的固態器件;專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的;具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射;專門適用于將這些輻射能轉換為電能,或者適用于通過這樣的輻射進行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發射的,如有機發光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇





