[發明專利]高速低功耗多閾值異步置位復位D型觸發器有效
| 申請號: | 201510061519.5 | 申請日: | 2015-02-06 |
| 公開(公告)號: | CN104617922A | 公開(公告)日: | 2015-05-13 |
| 發明(設計)人: | 羅恒;胡封林;劉宗林;魯建壯;李振濤;馬卓;趙天磊;屈婉霞;李永進;吳虎成;李勇;胡少飛;廖健 | 申請(專利權)人: | 中國人民解放軍國防科學技術大學 |
| 主分類號: | H03K3/356 | 分類號: | H03K3/356;H03K3/012 |
| 代理公司: | 湖南兆弘專利事務所 43008 | 代理人: | 周長清 |
| 地址: | 410073 湖南省長沙市硯瓦池正街47號中國*** | 國省代碼: | 湖南;43 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 高速 功耗 閾值 異步 復位 觸發器 | ||
1.一種高速低功耗多閾值異步置位復位D型觸發器,其特征在于,包括:
低功耗控制電路,用來接收低功耗控制輸入信號slp,對低功耗控制輸入信號slp進行緩沖處理后分別輸出信號:sleep和nsleep;
置位控制電路,用來接收異步置位輸入信號set,對異步置位輸入信號set進行緩沖處理后分別輸出信號:s和ns;
主鎖存器,用來接收數據輸入信d、正相時鐘輸入信號clk、反相時鐘輸入信號nclk、異步復位輸入信號r以及信號:sleep、nsleep、s和ns;所述主鎖存器在正相時鐘輸入信號clk、反相時鐘輸入信號nclk的控制下對數據輸入信號d進行鎖存處理后輸出qt;異步復位輸入信號r為低電平有效時,不受正相時鐘輸入信號clk、反相時鐘輸入信號nclk的控制,處理后輸出qt為低電平“0”;異步置位輸入信號s為低電平有效、ns為高電平有效時,不受正相時鐘輸入信號clk、反相時鐘輸入信號nclk的控制,處理后輸出qt為高電平“1”;
從鎖存器,用來接收正相時鐘輸入信號clk、反相時鐘輸入信號nclk、異步復位輸入信號r及信號qt、s、sleep和nsleep;所述從鎖存器在正相時鐘輸入信號clk、反相時鐘輸入信號nclk的控制下對qt進行鎖存處理后分別輸出第一數據信號q和第二數據信號nq;異步復位信號r為低電平有效時,不受正相時鐘輸入信號clk、反相時鐘輸入信號nclk的控制,處理后輸出q,為低電平“0”,nq為高電平“1”;異步置位信號s為低電平有效、ns為高電平有效時,不受正相時鐘輸入信號clk、反相時鐘輸入信號nclk的控制,處理后輸出q為高電平“1”,nq為低電平“0”。
2.根據權利要求1所述的高速低功耗多閾值異步置位復位D型觸發器,其特征在于,所述主鎖存器在接收sleep為高電平有效、nsleep為低電平有效信號時,不受正相時鐘輸入信號clk、反相時鐘輸入信號nclk的控制,所述主鎖存器進入睡眠狀態,此時正相時鐘輸入信號clk為低電平“0”,?反相時鐘輸入信號nclk為高電平“1”。
3.根據權利要求1所述的高速低功耗多閾值異步置位復位D型觸發器,其特征在于,所述從鎖存器在接收sleep為高電平有效、nsleep為低電平有效信號時,不受正相時鐘輸入信號clk、反相時鐘輸入信號nclk的控制,所述從鎖存器進入睡眠狀態,此時正相時鐘輸入信號clk為低電平“0”,?反相時鐘輸入信號nclk為高電平“1”,輸出值q,nq保持不變。
4.根據權利要求1或2或3所述的高速低功耗多閾值異步置位復位D型觸發器,其特征在于,所述低功耗控制電路具有一個輸入端和兩個輸出端,輸入端為slp,為低功耗控制信號,高有效;輸出端為sleep、nsleep,為睡眠和睡眠的非;所述低功耗控制電路包括一個兩級的反相器,其中第一級的反相器由P1?PMOS管和N1?NMOS管組成,其柵極連接slp,輸出作為低功耗控制電路的一個輸出端nsleep;第二級的反相器由P2?PMOS管和N2?NMOS管組成,其柵極連接nsleep,輸出作為低功耗控制電路的另一個輸出端sleep;P1?PMOS管和P2?PMOS管的襯底連接電源Vdd,源極連接電源Vdd;N1?NMOS管和N2?NMOS管的襯底接地Vss,源極連接地Vss。
5.根據權利要求1或2或3所述的高速低功耗多閾值異步置位復位D型觸發器,其特征在于,所述置位控制電路具有一個輸入端和兩個輸出端,輸入端為set,為異步置位控制信號,低有效;輸出端為s、ns,為置位和置位的非;所述置位控制電路為一個兩級的反相器,其中第一級的反相器由P1?PMOS管和N1?NMOS管組成,其柵極連接set,輸出作為置位控制電路的一個輸出端ns;第二級的反相器由P2?PMOS管和N2?NMOS管組成,其柵極連接ns,輸出作為置位控制電路的另一個輸出端s;P1?PMOS管和P2?PMOS管的襯底連接電源Vdd,源極連接電源Vdd;N1?NMOS管和N2?NMOS管的襯底接地Vss,源極連接地Vss。
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