[發明專利]一種襯底上碳納米管水平陣列密度的快速光學表征方法在審
| 申請號： | 201510061035.0 | 申請日： | 2015-02-04 |
| 公開（公告）號： | CN104697946A | 公開（公告）日： | 2015-06-10 |
| 發明（設計）人： | 劉開輝;唐靜怡;鄧時濱;康黎星;胡悅;張錦 | 申請（專利權）人： | 北京大學 |
| 主分類號： | G01N21/31 | 分類號： | G01N21/31 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 100871*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 襯底 納米 水平 陣列 密度 快速 光學 表征 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種襯底上碳納米管水平陣列密度的快速光學表征方法，其特征在于，包括如下步驟；
根據測量得到的光學襯度進行計算得到碳納米管水平陣列密度，并對碳納米管水平陣列的光學襯度顏色分辨信息進行分析來得到碳納米管水平陣列中不同類型碳納米管比例，實現所述碳納米管水平陣列的光學表征；
由碳納米管水平陣列的光學襯度導出碳納米管水平陣列的吸收系數，進而計算得到碳納米管水平陣列的密度；
根據下述公式計算碳納米管水平陣列的平均密度1/(d
其中，d
2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于：通過R、G、B三通道對碳納米管進行光學襯底顏色分辨信息進行分析，由各通道中出現次數最高的值對應的密度值來確定相應的碳納米管的密度。
3.根據權利要求2所述的方法，其特征在于：R通道顯示金屬性碳納米管密度，G通道顯示半導體性碳納米管密度。
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