[發(fā)明專利]一種電子元器件真空吸測試方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201510060848.8 | 申請日： | 2015-02-05 |
| 公開（公告）號： | CN104635180A | 公開（公告）日： | 2015-05-20 |
| 發(fā)明（設計）人： | 張小東;覃小峰;繆來虎;葉青山 | 申請（專利權）人： | 深圳市華騰半導體設備有限公司 |
| 主分類號： | G01R31/44 | 分類號： | G01R31/44;G01R1/04;G01M11/00 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 518000 廣東省深*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 電子元器件 真空 測試 方法 | ||
【權利要求書】：
1.種電子元器件的真空吸測試方法，其特征在于：所述方法包括如下步驟：
發(fā)光元件由振動盤篩選引腳向下進入直振軌道；
（2）再由真空和破真空的方式轉(zhuǎn)移到轉(zhuǎn)盤上的卡槽里面；
（3）通過真空將材料吸附在PCB板或類似此結(jié)構上，接觸發(fā)光元件的引腳，通電使其發(fā)光，同時檢測元件從上對其光電特性進行檢測。
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