[發明專利]半導體裝置、顯示裝置、顯示模塊以及電子設備

有效

• 申請號: 201510060315.X
• 申請日: 2015-02-05
• 公開（公告）號: CN104821338B
• 公開（公告）日: 2020-11-10
• 發明（設計）人: 山崎舜平;岡崎健一;片山雅博;中田昌孝
• 申請（專利權）人: 株式會社半導體能源研究所
• 主分類號: H01L29/786
• 分類號: H01L29/786;H01L27/12
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 何欣亭;姜甜

1.一種半導體裝置，包括：

晶體管，包括：

第一絕緣膜上的氧化物半導體膜；

所述氧化物半導體膜上的柵極絕緣膜；

所述柵極絕緣膜上的柵電極；

所述柵電極上的第二絕緣膜；

所述第二絕緣膜上的第三絕緣膜，所述第三絕緣膜包括氧化硅；

所述第三絕緣膜上的源電極；

所述第三絕緣膜上的漏電極，

其中，所述第一絕緣膜包含氧，

所述第二絕緣膜包含氮，

所述源電極與所述氧化物半導體膜電連接，

并且，所述漏電極與所述氧化物半導體膜電連接，以及

電容元件，包括：

第一導電膜；

第二導電膜；以及

所述第二絕緣膜，

所述第三絕緣膜上的第四絕緣膜，所述第四絕緣膜包括氮化硅；以及

所述第四絕緣膜上的有機絕緣膜，

其中，所述第一導電膜與所述柵電極設置在同一表面上，

所述第二導電膜與所述源電極及所述漏電極設置在同一表面上，

所述第二絕緣膜設置在所述第一導電膜與所述第二導電膜之間，

所述第一絕緣膜包括與所述氧化物半導體膜重疊的第一區域和不與所述氧化物半導體膜重疊的第二區域，

所述第一絕緣膜的所述第一區域的厚度大于所述第一絕緣膜的所述第二區域的厚度，

所述氧化物半導體膜包括第一區域、第二區域及第三區域，所述氧化物半導體膜的所述第一區域是溝道區域，

所述氧化物半導體膜的所述第一區域與所述柵電極重疊且所述氧化物半導體膜的所述第一區域在所述氧化物半導體膜的所述第二區域和所述氧化物半導體膜的所述第三區域之間，

所述第二絕緣膜與所述第二區域和所述第三區域接觸，

并且，所述第二絕緣膜的氫濃度為1×10²²atoms/cm³以上。

2.根據權利要求1所述的半導體裝置，

其中所述氧化物半導體膜包含氧、In、Zn及M，

并且M為Ti、Ga、Y、Zr、La、Ce、Nd或Hf。

3.根據權利要求1所述的半導體裝置，

其中所述氧化物半導體膜包括結晶部，

并且所述結晶部的c軸取向為平行于所述氧化物半導體膜的被形成面的法線向量。

4.一種包括權利要求1所述的半導體裝置及顯示元件的顯示裝置。

5.一種包括權利要求4所述的顯示裝置及觸摸傳感器的顯示模塊。