[發(fā)明專利]一種低滲氣井壓裂產(chǎn)水能力判斷方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201510059710.6
• 申請日: 2015-02-04
• 公開（公告）號: CN104564006B
• 公開（公告）日: 2017-06-13
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 劉子雄;王杏尊;吳英;李敬松;黃子俊;王濤;楊浩;商永濤
• 申請（專利權(quán)）人: 中國海洋石油總公司;中海油田服務(wù)股份有限公司
• 主分類號: E21B43/26
• 分類號: E21B43/26
• 代理公司: 北京安信方達知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司11262
• 代理人: 惠磊,曲鵬

1.一種低滲氣井壓裂產(chǎn)水能力判斷方法，包括：

步驟A、測量待壓裂低滲氣井不同深度的自然伽馬值以及以下一項或者多項：數(shù)值電阻率、補償中子、密度的數(shù)值，并獲得所述自然伽馬值隨深度的變化曲線、電阻率曲線、補償中子曲線和/或密度曲線；

步驟B、根據(jù)自然伽馬值曲線的變化形態(tài)，綜合所述電阻率曲線和/或補償中子曲線和/或密度曲線隨深度的變化形態(tài)，確定所述待壓裂低滲氣井的地層水產(chǎn)狀類型；

步驟C、測量待壓裂低滲氣井不同深度的錄井全烴檢測數(shù)值，并獲得錄井全烴檢測數(shù)值隨深度的變化曲線；

步驟D、根據(jù)所述自然伽馬曲線隨深度的變化形態(tài)和所述錄井全烴檢測數(shù)值隨深度的變化曲線，確定所述待壓裂低滲氣井的產(chǎn)水能力類型；

其中，步驟B中確定所述待壓裂低滲氣井的地層水產(chǎn)狀類型的步驟包括：

B1、將所述自然伽馬曲線的變化形態(tài)和所述電阻率曲線的變化形態(tài)和/或所述補償中子曲線的變化形態(tài)和/或所述密度曲線的變化形態(tài)與產(chǎn)水能力識別模板中的特征曲線逐一比較；

B2、確定與所述自然伽馬曲線的變化形態(tài)和所述電阻率曲線的變化形態(tài)和/或所述補償中子曲線的變化形態(tài)和/或所述密度曲線的變化形態(tài)最接近的一組特征曲線，將所述特征曲線對應(yīng)的地層水產(chǎn)狀類型作為所述待壓裂低滲氣井的地層水產(chǎn)狀類型。

2.如權(quán)利要求1所述的判斷方法，其特征在于：所述步驟D后還包括：

根據(jù)所述待壓裂低滲氣井的產(chǎn)水能力類型，確定所述待壓裂低滲氣井的產(chǎn)水能力范圍。

3.如權(quán)利要求1或2所述的判斷方法，其特征在于：

所述步驟D中，還綜合所述電阻率曲線和/或補償中子曲線和/或密度曲線隨深度的變化形態(tài)，確定所述待壓裂低滲氣井的產(chǎn)水能力類型。

4.如權(quán)利要求1或2所述的判斷方法，其特征在于：地層水產(chǎn)狀類型包括束縛水、層間水、滯留水和自由水；

其中，所述束縛水為儲層微孔隙發(fā)育造成的地層產(chǎn)水；

所述層間水為儲層非均質(zhì)性造成的地層產(chǎn)水；

所述滯留水為氣藏充注程度不足形成的地層產(chǎn)水；

所述自由水為斷層破壞或者氣源不足形成的地層產(chǎn)水。

5.如權(quán)利要求1或2所述的判斷方法，其特征在于：產(chǎn)水能力類型包括弱含氣型、鋸齒峰值含氣型、近飽滿含氣型、欠飽滿含氣型和單峰值含氣型；

其中，所述弱含氣型是由于儲層物性差，成藏時氣體充注壓力不夠，導(dǎo)致進入儲層的氣體量少，儲層含氣飽和度低，含水飽和度高；錄井時僅能見到微弱的氣測顯示；

錄井形態(tài)表現(xiàn)為：含氣飽和度低于第一飽和度閾值，在所述錄井全烴數(shù)值隨深度的變化曲線的錄井全烴數(shù)值全部低于第一全烴閾值；

所述鋸齒峰值含氣型是由于儲層非均質(zhì)，導(dǎo)致成藏時厚度較小的儲層含氣性好，其余部位含氣性差，在錄井時氣測全烴顯示時高時低；

錄井曲線形態(tài)表現(xiàn)為：同一套砂體中的含氣性不同，在所述錄井全烴數(shù)值隨深度的變化曲線的錄井全烴數(shù)值大小交替變化；

所述近飽滿含氣型是由于儲層物性好，成藏時氣體充注充分，整體的含氣性好，但在某些部位出現(xiàn)含氣性稍差，氣測全烴顯示降低，但整體的氣測全烴顯示幅度較高，曲線形態(tài)平滑飽滿；

錄井曲線形態(tài)表現(xiàn)為：在所述錄井全烴數(shù)值隨深度的變化曲線的錄井全烴數(shù)值全部高于第二全烴閾值，或者所述錄井全烴數(shù)值隨深度的變化曲線的某段的錄井全烴數(shù)值受到儲層物性的影響降低，但其余部分高于第二全烴閾值，且錄井全烴數(shù)值顯示異常的井段厚度大于砂巖段厚度；

所述欠飽滿含氣型是由于成藏時氣源不充足，氣體未將儲層中的原始水全部驅(qū)替出來，導(dǎo)致部分水可動，儲層的含氣性差，因此在氣測全烴實現(xiàn)上為平滑的低值；

錄井曲線形態(tài)表現(xiàn)為：錄井全烴數(shù)值在儲層段都有顯示，在儲層段頂?shù)卒浘珶N數(shù)值小于第三全烴閾值；在中間部位錄井全烴數(shù)值高于第四全烴閾值；

所述單峰值含氣型是由于儲層物性較好的部位厚度小，成藏時氣體優(yōu)先進入該層；但受到成藏因素影響，其余儲層段未被氣體完全充注，因此含氣性差；氣測全烴僅在物性好的部分較高，其余部位基本無顯示；

錄井曲線形態(tài)表現(xiàn)為：整個砂巖段錄井全烴數(shù)值小于第五全烴閾值，在所述錄井全烴數(shù)值隨深度的變化曲線的某段的錄井全烴數(shù)值顯著升高，出現(xiàn)一個的峰值。