[發明專利]一種陣列基板及其制作方法、顯示面板及顯示裝置

有效

• 申請號: 201510059632.X
• 申請日: 2015-02-05
• 公開（公告）號: CN104637957B
• 公開（公告）日: 2018-04-06
• 發明（設計）人: 陳偉績;蔡明光;王磊;鄭錕泰;賴大琪
• 申請（專利權）人: 廈門天馬微電子有限公司;天馬微電子股份有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L21/77;G02F1/1362
• 代理公司: 北京品源專利代理有限公司11332
• 代理人: 路凱,胡彬

技術領域

本發明涉及顯示技術領域，具體涉及一種陣列基板及其制作方法、顯示面板及顯示裝置。

背景技術

薄膜晶體管(Thin Film Transistor，TFT)在液晶顯示裝置和有機發光顯示裝置等平板顯示技術領域得到了非常廣泛的應用，以主動矩陣(active matrix)式液晶顯示裝置為例，TFT是作為液晶顯示裝置中液晶顯示面板的像素開關元件。其中，TFT具有一柵電極、一漏電極、一源電極及一有源層，柵電極與柵極線電連接并受其控制而開啟，源電極與數據線電連接以接收信號，而漏電極與像素電極電連接，用以改變液晶顯示面板的每個像素的穿透率而達到控制灰階亮度的目的。

液晶顯示面板通常是由一TFT陣列基板、一彩色濾光基板以及一夾設于兩基板間的液晶層構成，且兩基板與液晶層可形成多個陣列設置的像素。圖1是現有技術中液晶顯示面板的TFT陣列基板的俯視圖，如圖1所示，主要包括基板1、以及設置于基板1上多條柵極線2和多條數據線3，位于數據線3和柵極線2交叉處的TFT(包括源電極4、柵電極5和漏電極6)以及與TFT電連接的像素電極(圖中未示出)。

相鄰的數據線3和柵極線2所圍成的區域為像素區域，所述像素區域包括TFT區域和像素電極區域，所述像素電極設置于該像素電極區域內，TFT設置于TFT區域內。TFT的柵電極5與柵極線2相連，TFT的源電極4與數據線3相連，TFT的漏電極6與所述像素電極相連。

圖2是現有技術中TFT陣列基板制作方法的流程圖。如圖2所示，現有的TFT陣列基板的制作工藝包括如下步驟：

A、提供基板1，在基板上形成緩沖層101；

B、在緩沖層101上沉積一層有源層，刻蝕所述有源層，在所述TFT區域形成有源層結構7；

C、在步驟B的基礎上沉積一層柵極絕緣層102；

D、在步驟C的基礎上沉積第一導電層，刻蝕該第一導電層形成第一電極圖案，所述第一電極圖案包括柵極線(圖中未示出)和柵電極5；

E、在步驟D的基礎上沉積第一層間絕緣層103，刻蝕該層間絕緣層103和柵極絕緣層102在TFT區域形成第一過孔1031和第二過孔1032；

F、在步驟E的基礎上沉積第二導電層，刻蝕該第二導電層形成第二電極圖案，所述第二電極圖案包括數據線3、源電極4和漏電極6，源電極4通過第一過孔1031與有源層結構7電連接，漏電極6通過第二過孔1032與有源層結構7電連接；

G、在步驟F的基礎上依次沉積鈍化層104、公共電極層105和第一絕緣層106，刻蝕該第一絕緣層106、公共電極層105和鈍化層104在TFT區域形成第三過孔1061；

H、在步驟G的基礎上沉積像素電極層，刻蝕該像素電極層在像素區域形成像素電極107，像素電極107通過第三過孔1061與漏電極6電連接。

現有的TFT陣列基板在制作的過程中，如果層間絕緣層103表面存在異物，則沉積的第二導電層在異物(Particle)(如圖1中所示的異物8)所在的位置出現凸起，使得形成的數據線3容易發生斷裂，從而產生暗線，降低了產品良率。

同時，如圖2步驟E所示，現有的陣列基板在制作過程中，因為層間絕緣層103的材料為絕緣材質，在刻蝕該層間絕緣層103形成第一過孔1031和第二過孔1032的過程中，尤其在光刻膠剝離、清洗等過程中，層間絕緣層103表面容易產生并積累靜電，當在第一過孔1031和第二過孔1032中分別形成源電極4和漏電極6以后，單個TFT呈暴露狀態，此時層間絕緣層103表面的靜電會通過源電極4和漏電極6擊傷有源層結構7與柵電極5交疊的部分(溝道)，從而使得溝道產生缺陷或者在柵極絕緣層103上積累電荷，進而導致陣列基板中TFT(包括N型管和P型管)的閾值電壓Vth發生漂移，而發生閾值電壓Vth漂移的TFT，其局部充電和放電的能力會發生增強或者減弱，從而導致局部像素電壓產生波動，從而使得液晶顯示面板出現顯示效果不均(mura)的現象。

發明內容

有鑒于此，本發明實施例提供一種陣列基板及其制作方法、顯示面板及顯示裝置，以解決現有技術中數據線容易斷裂產生的暗線、產品良率低以及顯示不均的問題。