[發明專利]保持工作臺有效
| 申請號: | 201510059595.2 | 申請日: | 2015-02-04 |
| 公開(公告)號: | CN104816100B | 公開(公告)日: | 2019-09-06 |
| 發明(設計)人: | 木村早希;土屋利夫;出島健志 | 申請(專利權)人: | 株式會社迪思科 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;H01L21/687;B23K26/70;B23K26/38;B23K26/402;B23K26/08 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 保持 工作臺 | ||
本發明提供一種保持工作臺,在器件區域的周圍形成有環狀加強部的晶片中,能夠穩定地去除環狀加強部,而不會使器件區域變窄。保持工作臺(5)保持晶片(W),在該晶片的正面形成有器件區域(83)和外周剩余區域(84),在器件區域中形成有多個器件,外周剩余區域圍繞該器件區域,在晶片的與外周剩余區域對應的背面上形成有環狀加強部(85),保持工作臺(5)形成為這樣的結構:在保持工作臺的上表面,在與環狀加強部和器件區域的邊界部(86)相對應的位置形成有用于使激光光線逸散的環狀的逸散槽(53),在逸散槽的槽底(54)以錐形狀形成有使激光光線散射的微細的凹凸。
技術領域
本發明涉及在將形成于器件區域周圍的環狀加強部從晶片去除的晶片的加工方法中使用的保持工作臺。
背景技術
使用切削裝置等將在正面側形成有IC(集成電路)、LSI(大規模集成電路)等多個器件的晶片分割成一個個器件,組裝至各種電子設備而廣泛使用。為了實現電子設備的小型化和輕量化等,使晶片的厚度較薄地形成為例如50μm~100μm。這樣的晶片不僅剛性下降,而且會產生翹曲,因此難以進行操作,并且,在搬送等過程中存在破損的可能。因此,提出有這樣的方法:僅對晶片的與形成有器件的器件區域相對應的背面進行磨削,由此,在與圍繞著器件區域的外周剩余區域相對應的背面形成環狀加強部,來提高晶片的剛性(例如,參照專利文獻1)。
并且,提出有在沿著分割預定線對形成有環狀加強部的晶片進行分割前從晶片去除環狀加強部的方法(例如,參照專利文獻2)。在專利文獻2所述的方法中,利用切削刀具將器件區域與環狀加強部(外周剩余區域)的邊界部切斷,并使環狀加強部從晶片分離。然后,在去除了環狀加強部后,利用切削刀具對殘留有器件區域的晶片從正面側沿著分割預定線進行切削,從而將晶片分割成一個個器件。
專利文獻1:日本特開2007-19461號公報
專利文獻2:日本特開2012-23175號公報
可是,在專利文獻2所述的方法中,使器件區域中的晶片的厚度變得越薄,該變薄部分與環狀加強部之間的階梯差就越大。與此相伴,為了避免刀具輪轂與環狀加強部接觸,需要使切削刀具的刀尖伸出量比通常增大與階梯差對應的量。如果在切削刀具的刀尖伸出量較大的狀態下進行加工,則會在切削刀具上作用過大的負載,從而可能導致切削刀具發生蛇形或發生破損。雖然也可以考慮加大刀具寬度來防止蛇形和破損,但是,存在切削時的槽寬會與切削刀具變厚的量相對應地變大從而導致器件區域變小這樣的問題。
特別是,近年來,實現了芯片尺寸的大型化,或者為了提高生產率而實現了晶片的大口徑化。由于大口徑的晶片不僅是外徑變大,而且厚度也變大,因此,可以想象到,通過使器件區域中的晶片的厚度變薄,可以增加環狀加強部的階梯差。從而,切削刀具的刀尖伸出量進一步變大,難以從晶片適當地去除環狀加強部。
發明內容
本發明是鑒于上述問題而完成的,其目的在于提供一種在下述這樣的晶片的加工方法中使用的保持工作臺:在器件區域的周圍形成有環狀加強部的晶片中,能夠穩定地去除環狀加強部,而不會使器件區域變窄。
本發明的保持工作臺保持晶片,在所述晶片的正面形成有器件區域和外周剩余區域,在所述器件區域中形成有多個器件,所述外周剩余區域圍繞器件區域,在所述晶片的與外周剩余區域對應的背面上形成有環狀加強部,所述保持工作臺的特征在于,在保持工作臺的上表面,在與環狀加強部和器件區域的邊界部相對應的位置形成有用于使激光光線逸散的環狀的逸散槽,在逸散槽的槽底以錐形狀形成有使激光光線散射的微細的凹凸。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





