[發明專利]倒置OLED器件結構

在審

• 申請號: 201510058560.7
• 申請日: 2015-02-05
• 公開（公告）號: CN104600202A
• 公開（公告）日: 2015-05-06
• 發明（設計）人: 廖良生;馬杰;丁磊;湯洵
• 申請（專利權）人: 蘇州大學
• 主分類號: H01L51/50
• 分類號: H01L51/50;H01L51/54;H01L51/52
• 代理公司: 南京經緯專利商標代理有限公司 32200
• 代理人: 曹毅

1.倒置OLED器件結構，包括基板（1），其上旋涂聚合物防短路層（2），在聚合物防短路層（2）之上沉積有一層陰極薄膜（3），在該陰極薄膜（3）上蒸鍍一層強氧化性材料的電子注入層（4），在該電子注入層（4）之上沉積一層金屬或金屬氧化物薄膜（5），在金屬或金屬氧化物薄膜（5）之上為n型摻雜的電子傳輸層（6），其次依次為電子傳輸層（7）、發光層（8）、空穴傳輸層（9）、空穴注入層（10）和陽極（11），其特征在于：所述的電子注入層（4）的強氧化性材料為2,3,6,7,10,11-六氰基-1,4,5,8,9,12-六氮雜苯并菲、2,3,5,6-四氟-7,7',8,8'-四氰二甲基對苯醌、MoO₂、MoO₃、SiO或SiO₂。

2.如權利要求1所述的倒置OLED器件結構，其特征在于：所述聚合物防短路層（2）為聚(3,4-亞乙二氧基噻吩)-聚(苯乙烯磺酸)，其厚度為100-300nm。

3.如權利要求1所述的倒置OLED器件結構，其特征在于：所述陰極薄膜（3）為納米銀線、石墨烯、金屬薄層、ITO或碳納米管中的一種，其厚度為90-200nm。

4.如權利要求1所述的倒置OLED器件結構，其特征在于：所述金屬或金屬氧化物為Al、Ag、WO₃、MoO₃、V₂O₅或ReO₃，對應的厚度為0.5-1.5?nm。

5.如權利要求1所述的倒置OLED器件結構，其特征在于：所述n型摻雜的電子傳輸層中摻雜劑為鋰、銣或銫的氧化物或氮化物；主體材料為4,7-二苯基-1,10-鄰二氮雜菲、8-羥基喹啉鋁或1,3,5-三[(3-吡啶基)-3-苯基]苯。

6.如權利要求1所述的倒置OLED器件結構，其特征在于：所述的電子傳輸層（7）、發光層（8）、空穴傳輸層（9）、空穴注入層（10）均采用真空蒸鍍的方法實現。

7.?如權利要求1所述的倒置OLED器件結構，其特征在于：所述陽極采用金屬電極、透明金屬氧化物或復合陽極，制備成半透明或全反射的電極薄膜。

8.?如權利要求1所述的倒置OLED器件結構，其特征在于：器件結構中，聚合物防短路層（2）為200?nm厚的聚(3,4-亞乙二氧基噻吩)-聚(苯乙烯磺酸)；陰極薄膜（3）為150?nm的ITO，電子注入層（4）為10?nm的2,3,6,7,10,11-六氰基-1,4,5,8,9,12-六氮雜苯并菲、2,3,5,6-四氟-7,7',8,8'-四氰二甲基對苯醌、MoO₂、MoO₃、SiO或SiO₂；金屬薄膜（5）為1nm的金屬Al；n型摻雜的電子傳輸層（6）為55?nm的4,7-二苯基-1,10-鄰二氮雜菲:?Li；電子傳輸層（7）為20?nm?的1,3,5-三[(3-吡啶基)-3-苯基]苯；發光層（8）為20?nm?的4,4-N,N-二咔唑基聯苯（CBP:）?三(2-苯基吡啶)合銥(III)（Ir(ppy)₃）；空穴傳輸層（9）為40?nm的（4,4&-39;-環己基二[N,N-二(4-甲基苯基)苯胺]；空穴注入層（10）為10?nm?的2,3,6,7,10,11-六氰基-1,4,5,8,9,12-六氮雜苯并菲；陽極（11）為100?nm的鋁金屬陽極。