[發明專利]用于低壓差(LDO)穩壓器中增強型瞬態響應的半導體結構

有效

• 申請號: 201510057249.0
• 申請日: 2015-02-04
• 公開（公告）號: CN104821721B
• 公開（公告）日: 2019-02-05
• 發明（設計）人: G·盧夫
• 申請（專利權）人: 英特賽爾美國有限公司
• 主分類號: H02M3/156
• 分類號: H02M3/156
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 李玲

1.一種半導體結構，其包括：

第一電流鏡電路，所述第一電流鏡電路耦合到所述半導體結構的輸入連接件和輸出連接件；

第二電流鏡電路，所述第二電流鏡電路耦合到所述半導體結構的所述輸入連接件；

第一放大器電路，所述第一放大器電路的第一輸入耦合到所述第二電流鏡電路，所述第一放大器電路的第二輸入耦合到所述半導體結構的所述輸出連接件，且所述第一放大器電路的第三輸入耦合到參考電壓；

第二放大器電路，所述第二放大器電路的輸入耦合到所述第一放大器電路的輸出，且所述第二放大器電路的輸出耦合到所述第一電流鏡電路；以及

第三放大器電路，所述第三放大器電路的輸入耦合到所述第一放大器電路的所述輸出，且所述第三放大器電路的輸出耦合到所述第二電流鏡電路。

2.如權利要求1所述的半導體結構，其還包括：

第四放大器電路，所述第四放大器電路連接在所述第二放大器電路的所述輸出與所述第一電流鏡電路之間。

3.如權利要求1所述的半導體結構，其中所述參考電壓是固定電壓。

4.如權利要求1所述的半導體結構，其中所述第一放大器電路的所述第二輸入適于接收與所述半導體結構的輸出電壓成比例的反饋電壓。

5.如權利要求1所述的半導體結構，其中所述第一放大器電路的所述第一輸入包括偏置電流輸入。

6.如權利要求1所述的半導體結構，其中所述第一放大器電路包括誤差放大器，所述第二放大器電路包括跨導放大器；且所述第三放大器電路包括跨導放大器。

7.如權利要求2所述的半導體結構，其中所述第四放大器電路包括緩沖放大器。

8.如權利要求1所述的半導體結構，其中所述半導體結構包括半導體集成電路(IC)、晶片、芯片或裸片上的自適應偏置低壓差(LDO)穩壓器。

9.如權利要求1所述的半導體結構，其中所述第一放大器電路的所述第一輸入連接到所述第二電流鏡電路的第一晶體管裝置的漏極端子，且所述第一放大器電路進而包括自偏置放大器電路。

10.一種電子電路，其包括：

第一晶體管裝置，所述第一晶體管裝置耦合到所述電子電路的輸入連接件和輸出連接件；

第二晶體管裝置，所述第二晶體管裝置耦合到所述電子電路的所述第一晶體管裝置以及所述輸入連接件，其中所述第一晶體管裝置和所述第二晶體管裝置包括第一電流鏡級，且所述第一晶體管裝置包括所述電子電路的輸出晶體管；

第三晶體管裝置，所述第三晶體管裝置耦合到所述電子電路的所述輸入連接件；

第四晶體管裝置，所述第四晶體管裝置耦合到所述電子電路的所述輸入連接件以及所述第三晶體管裝置，其中所述第三晶體管裝置和所述第四晶體管裝置包括第二電流鏡級；

誤差放大器，所述誤差放大器經由第一跨導放大器耦合到所述第一晶體管裝置和所述第二晶體管裝置，且經由第二跨導放大器耦合到所述第三晶體管裝置和所述第四晶體管裝置，且所述誤差放大器的偏置電流輸入耦合到所述第四晶體管裝置的漏極端子，其中所述誤差放大器適于將參考電壓和與所述電子電路的輸出電壓成比例的反饋電壓進行比較，且將電流信號耦合到所述第一電流鏡級和所述第二電流鏡級以驅動所述第一電流鏡級和所述第二電流鏡級。

11.如權利要求10所述的電子電路，其還包括電壓跟隨器，所述電壓跟隨器連接在所述第一跨導放大器與所述第一電流鏡級之間。

12.如權利要求10所述的電子電路，其中所述電子電路包括自適應偏置LDO穩壓器。

13.如權利要求10所述的電子電路，其中所述電子電路包括IC電源或電源管理IC(PMIC)的全部或一部分。