[發明專利]基板及其制造方法、顯示裝置

有效

• 申請號: 201510057141.1
• 申請日: 2015-02-03
• 公開（公告）號: CN104617111B
• 公開（公告）日: 2017-08-25
• 發明（設計）人: 王美麗
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L29/786
• 代理公司: 北京清亦華知識產權代理事務所(普通合伙)11201
• 代理人: 趙天月

1.一種基板，包括襯底，以及在襯底上形成的銅電極和光刻膠層，其特征在于：在所述銅電極與光刻膠層之間還設有銅擴散/光刻膠剝落改善層，

其中，所述銅擴散/光刻膠剝落改善層由包括主分子鏈、分子表面基團和分子鏈端基團的材料形成，所述分子表面基團為可與銅形成結合鍵的基團。

2.根據權利要求1所述的基板，其特征在于：所述分子表面基團包括-SH、-SO₃H中的一種或多種。

3.根據權利要求1所述的基板，其特征在于：所述分子鏈端基團為可與光刻膠反應形成化合鍵或與光刻膠具有相同表面性的基團。

4.根據權利要求3所述的基板，其特征在于：當光刻膠為正性膠時，所述分子鏈端基團包括-OH，-COOH和-CHO中的一種或多種；當光刻膠為負性膠時，分子鏈端基團為

5.根據權利要求1所述的基板，其特征在于：所述銅擴散/光刻膠剝落改善層由聚丙烯酸，甲氧基苯胺、聚苯乙烯馬來酸酐、聚乙烯亞胺和/或巰基十一烷酸形成。

6.根據權利要求1所述的基板，其特征在于：所述銅擴散/光刻膠剝落改善層的厚度為3nm到500nm。

7.根據權利要求1所述的基板，其特征在于：所述銅電極為柵極或源/漏電極。

8.根據權利要求1或7所述的基板，其特征在于：所述銅電極為單層銅或單層銅與擴散阻止層構成的雙層結構，所述雙層結構中單層銅為與所述銅擴散/光刻膠剝落改善層接觸的頂層，所述擴散阻止層由聚丙烯酸，甲氧基苯胺、聚苯乙烯馬來酸酐、聚乙烯亞胺和/或巰基十一烷酸形成。

9.權利要求1-8任一項所述基板的制造方法，其特征在于：包括如下步驟：

(1)在襯底上形成銅電極；

(2)在銅電極上形成銅擴散/光刻膠剝落改善層；

(3)在所述銅擴散/光刻膠剝落改善層上涂覆光刻膠，即得。

10.一種顯示裝置，其特征在于：包括權利要求1-8任一項所述基板。