[發(fā)明專利]陣列基板及其制作方法和顯示裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201510057108.9
• 申請日: 2015-02-03
• 公開（公告）號: CN104637956B
• 公開（公告）日: 2018-03-27
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 齊永蓮;張鋒;王東方
• 申請（專利權(quán)）人: 京東方科技集團(tuán)股份有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L27/32;H01L21/77
• 代理公司: 北京潤澤恒知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司11319
• 代理人: 蘇培華

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，具體而言，涉及一種陣列基板、顯示裝置和一種陣列基板制作方法。

背景技術(shù)

在制備大尺寸倒置型OLED(有機(jī)發(fā)光二極管器件)顯示面板的穿透式結(jié)構(gòu)和上發(fā)光組件結(jié)構(gòu)中，需要光從陰極發(fā)出，因此將陰極做薄，就可以不用考慮功函數(shù)，但是當(dāng)陰極很薄的時(shí)候，會產(chǎn)生斷路或者金屬容易氧化的問題，使得陰極導(dǎo)電度難以滿足導(dǎo)電需求。另外因?yàn)镺LED結(jié)構(gòu)為電流驅(qū)動(dòng)，當(dāng)外部線路過長或者過細(xì)時(shí)，OLED結(jié)構(gòu)與外部電路將會形成較大的電壓梯度，使用于OLED組件的電壓下降，導(dǎo)致面板發(fā)光強(qiáng)度降低，同時(shí)因?yàn)镮TO電阻過大，容易造成外部功率消耗。因此現(xiàn)有技術(shù)中通過增加輔助電極的方式來降低電壓梯度，增加發(fā)光線路，減少驅(qū)動(dòng)電壓，具體材料可以采用Cr，Al，Cr/Al/Cr，Mo/Al/Mo等。

但是在制備輔助電極時(shí)，需要增加一道濺射金屬的工藝，同時(shí)還需要進(jìn)行刻蝕，增加了OLED制備的成本。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是，如何簡化倒置式OLED器件中輔助電極的制作，以簡化OLED器件的制作工藝，降低制作成本。

為此目的，本發(fā)明提出了一種陣列基板，包括：薄膜晶體管，與所述薄膜晶體管的有源層同層設(shè)置的輔助電極，以及與所述輔助電極電連接的透明陰極，其中所述有源層為氧化物半導(dǎo)體，所述輔助電極為經(jīng)等離子體處理過的氧化物半導(dǎo)體。

還包括：基底，設(shè)置于所述基底之上的柵極，設(shè)置于所述柵極之上的柵極絕緣層，其中，所述有源層設(shè)置在所述柵極絕緣層上。

優(yōu)選地，還包括：

設(shè)置在所述輔助電極上的第一刻蝕阻擋層，其中，所述第一刻蝕阻擋層中設(shè)置有過孔，

則所述透明陰極通過所述第一刻蝕阻擋層中的過孔與所述輔助電極電連接。

優(yōu)選地，還包括：

設(shè)置在所述有源層上的第二刻蝕阻擋層，以及設(shè)置在所述第二刻蝕阻擋層上的源極和漏極，其中，所述源極和漏極分別通過所述第二刻蝕阻擋層中的過孔與所述有源層電連接。

優(yōu)選地，還包括：

設(shè)置在所述柵極絕緣層上，且覆蓋所述源極、漏極和第一刻蝕阻擋層的鈍化層，其中，所述鈍化層中設(shè)置有過孔，

則所述透明陰極通過所述第一刻蝕阻擋層中的過孔和所述鈍化層中的過孔與所述輔助電極電連接。

優(yōu)選地，還包括：在所述透明陰極上依次設(shè)置的電子注入層、電子傳輸層、發(fā)光層、空穴傳輸層、空穴注入層和反射陽極。

本發(fā)明還提出了一種顯示裝置，包括上述任一項(xiàng)所述的陣列基板。

本發(fā)明還提出了一種陣列基板制作方法，包括：

形成氧化物半導(dǎo)體層；

對氧化物半導(dǎo)體層進(jìn)行構(gòu)圖工藝，以形成薄膜晶體管的有源層，并在預(yù)設(shè)區(qū)域形成輔助電極圖形；

對所述輔助電極圖形進(jìn)行等離子體處理以形成輔助電極；

形成與所述輔助電極電連接的透明陰極。

優(yōu)選地，在形成氧化物半導(dǎo)體層之前還包括：

在基底上形成柵極；

在所述柵極上形成柵極絕緣層；

所述氧化物半導(dǎo)體層形成在所述柵極絕緣層上。

優(yōu)選地，在對氧化物半導(dǎo)體層進(jìn)行構(gòu)圖工藝之后還包括：

在所述輔助電極圖形上形成第一刻蝕阻擋層，則對所述輔助電極圖形進(jìn)行等離子體處理包括：

隔著所述第一刻蝕阻擋層對所述輔助電極圖形進(jìn)行等離子體處理，或在形成所述輔助電極圖形之后和形成所述第一刻蝕阻擋層之前對所述輔助電極圖形進(jìn)行等離子體處理。

優(yōu)選地，還包括：在形成第一刻蝕阻擋層時(shí)，在所述有源層上形成第二刻蝕阻擋層，

則在形成所述透明陰極之前還包括：

在所述第二刻蝕阻擋層中形成過孔，在所述第二刻蝕阻擋層上形成源極和漏極，將所述源極和漏極分別通過所述第二刻蝕阻擋層中的過孔與所述有源層電連接。

優(yōu)選地，還包括：在所述柵極絕緣層上形成鈍化層，使所述鈍化層覆蓋所述源極、漏極和第一刻蝕阻擋層，在所述鈍化層中形成過孔，

則在形成所述透明陰極時(shí)，將所述透明陰極通過所述第一刻蝕阻擋層中的過孔和鈍化層中的過孔與所述輔助電極電連接。

優(yōu)選地，在形成所述透明陰極之前還包括：對所述輔助電極進(jìn)行退火處理。

優(yōu)選地，還包括：在所述透明陰極上依次形成電子注入層、電子傳輸層、發(fā)光層、空穴傳輸層、空穴注入層和反射陽極。