[發明專利]一種基于鉺摻雜CeO2薄膜的電致發光器件及其制備方法有效
| 申請號： | 201510056948.3 | 申請日： | 2015-02-04 |
| 公開（公告）號： | CN104681682B | 公開（公告）日： | 2017-06-20 |
| 發明（設計）人： | 馬向陽;呂春燕;楊德仁 | 申請（專利權）人： | 浙江大學 |
| 主分類號： | H01L33/26 | 分類號： | H01L33/26;H01L33/00 |
| 代理公司： | 杭州天勤知識產權代理有限公司33224 | 代理人： | 胡紅娟 |
| 地址： | 310027 浙*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 基于 摻雜 ceo2 薄膜 電致發光 器件 及其 制備 方法 | ||
1.一種基于稀土鉺摻雜CeO2薄膜的電致發光器件，包括硅襯底，硅襯底正面依次設有發光層、透明電極層，硅襯底背面設有歐姆接觸電極，其特征在于，所述的發光層為摻雜稀土鉺的CeO2薄膜。
2.根據權利要求1所述的基于稀土鉺摻雜CeO2薄膜的電致發光器件，其特征在于，所述發光層的厚度為40～200納米。
3.根據權利要求2所述的基于稀土鉺摻雜CeO2薄膜的電致發光器件，其特征在于，以原子百分比計，所述發光層中稀土鉺的摻雜量為0.5～4％。
4.根據權利要求1所述的基于稀土鉺摻雜CeO2薄膜的電致發光器件，其特征在于，所述透明電極層為透明的摻錫氧化銦膜。
5.根據權利要求4所述的基于稀土鉺摻雜CeO2薄膜的電致發光器件，其特征在于，所述透明電極層的厚度為120～180納米。
6.根據權利要求1所述的基于稀土鉺摻雜CeO2薄膜的電致發光器件，其特征在于，所述硅襯底為P型或N型<100>硅片。
7.根據權利要求1所述的基于稀土鉺摻雜CeO2薄膜的電致發光器件的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：
(1)在P型或N型<100>硅片正面通過磁控濺射法沉積摻雜稀土鉺的CeO2薄膜，再在氧氣氛圍中熱處理5～120分鐘；
(2)利用直流濺射法在摻雜稀土鉺的CeO2薄膜上沉積摻錫氧化銦膜；
(3)通過直流濺射法在硅片背面沉積金膜。
8.根據權利要求7所述的基于稀土鉺摻雜CeO2薄膜的電致發光器件的制備方法，其特征在于，步驟(1)中，所述熱處理的溫度為700～1100℃。
9.根據權利要求1～6任一項所述的基于稀土鉺摻雜CeO2薄膜的電致發光器件的發光方法，其特征在于，在透明電極層和歐姆接觸電極之間施加7～12V的電壓。
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