[發明專利]濺射靶及其制造方法

有效

• 申請號: 201510056784.4
• 申請日: 2015-02-03
• 公開（公告）號: CN104818459B
• 公開（公告）日: 2018-08-31
• 發明（設計）人: 遠藤瑤輔
• 申請（專利權）人: JX日礦日石金屬株式會社
• 主分類號: C23C14/34
• 分類號: C23C14/34
• 代理公司: 北京品源專利代理有限公司 11332
• 代理人: 呂琳;楊生平

1.一種濺射靶的制造方法，其中，

通過鑄造，將由銦構成的靶主體，經由銦基礎層接合到由不銹鋼、鈦或鋁中的任一種材質構成的襯管或襯板的表面上，來制造濺射靶，

在襯管或襯板的表面形成銦基礎層，之后，在實施靶主體的鑄造之前，在非氧化環境下對附著有銦基礎層的襯管或襯板進行預加熱，

在靶主體的鑄造用鑄模內配置有襯管或襯板的狀態下進行所述預加熱，并從該預加熱開始到靶主體的鑄造結束，一直維持非氧化環境，

在襯管或襯板的表面事先進行表面處理，使所述襯管或襯板的、與靶主體之間的接合表面的表面粗糙度Ra為4.0μm以上。

2.根據權利要求1所述的濺射靶的制造方法，其中，

所述靶主體還含有選自Ni、Fe、Cr、Ti、Al、Si的至少一種，并且每種含量均為10wtppm以下。

3.一種濺射靶，是通過權利要求1所述的濺射靶的制造方法制造的濺射靶，

所述濺射靶由不銹鋼、鈦或鋁的任一種材質構成的襯管或襯板與銦構成的靶主體的雙層結構構成，使通過超聲波探傷測定的所述襯管或襯板與靶主體之間的粘接率為95％以上，使所述襯管或襯板的、與靶主體之間的接合表面的表面粗糙度Ra為4.0μm以上。

4.根據權利要求3所述的濺射靶，其中，所述靶主體還含有選自Ni、Fe、Cr、Ti、Al、Si的至少一種，并且每種含量均為10wtppm以下。

5.根據權利要求3所述的濺射靶，其中，所述靶主體還含有選自Cu、Ga的至少一種，并且每種含量均為10000wtppm以下。

6.根據權利要求4所述的濺射靶，其中，所述靶主體還含有選自Cu、Ga的至少一種，并且每種含量均為10000wtppm以下。