[發(fā)明專利]垂直存儲器件

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201510055617.8
• 申請日: 2015-02-03
• 公開（公告）號: CN104821322B
• 公開（公告）日: 2019-08-16
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 李昌炫
• 申請（專利權(quán)）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L27/11582
• 分類號: H01L27/11582;H01L29/792;H01L21/336
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105
• 代理人: 弋桂芬

1.一種垂直存儲器件，包括：

下絕緣層；

在所述下絕緣層上的低電阻層；

在所述低電阻層上的溝道層；

在所述溝道層上的多個垂直溝道，所述垂直溝道在相對于所述溝道層的頂表面垂直的第一方向上延伸并且當(dāng)在所述第一方向上看時與所述低電阻層重疊，所述垂直溝道包括外側(cè)壁；以及

圍繞所述垂直溝道的所述外側(cè)壁的多個柵線，所述柵線在所述第一方向上層疊并且彼此間隔開。

2.如權(quán)利要求1所述的垂直存儲器件，進一步包括：

在所述低電阻層和所述溝道層之間的歐姆接觸層。

3.如權(quán)利要求2所述的垂直存儲器件，其中

所述歐姆接觸層和所述溝道層包括摻以p型雜質(zhì)的多晶硅，以及

所述歐姆接觸層的雜質(zhì)濃度大于所述溝道層的雜質(zhì)濃度。

4.如權(quán)利要求1所述的垂直存儲器件，其中所述低電阻層包括金屬、金屬氮化物和金屬硅化物中的至少一種，以及

所述低電阻層的電阻小于所述溝道層的電阻。

5.如權(quán)利要求1所述的垂直存儲器件，其中所述低電阻層具有埋在所述下絕緣層中的直線形狀和埋在所述下絕緣層中的島形狀之一。

6.如權(quán)利要求1所述的垂直存儲器件，還包括：

在所述低電阻層上的歐姆接觸圖案，其中

所述下絕緣層包括至少一個溝槽，

所述低電阻層填充所述溝槽的下部，以及

所述歐姆接觸圖案填充所述溝槽的剩余部分。

7.一種垂直存儲器件，包括：

下絕緣層；

在所述下絕緣層上的第一溝道層；

在所述第一溝道層上的第二溝道層，所述第二溝道層和所述第一溝道層在相對于所述第二溝道層的頂表面垂直的第一方向上彼此間隔開；

在所述第一溝道層與所述第二溝道層之間的分隔絕緣層；

在所述第二溝道層上的多個垂直溝道，所述垂直溝道在所述第一方向上延伸；以及

多個柵線，所述柵線圍繞所述垂直溝道的外側(cè)壁，所述柵線在所述下絕緣層上在所述第一方向上層疊并且在所述第一方向上彼此間隔開。

8.如權(quán)利要求7所述的垂直存儲器件，其中

所述第一溝道層和所述第二溝道層包括摻以p型雜質(zhì)的多晶硅，以及

所述第一溝道層的雜質(zhì)濃度大于所述第二溝道層的雜質(zhì)濃度。

9.如權(quán)利要求7所述的垂直存儲器件，其中所述第一溝道層的厚度大于所述第二溝道層的厚度。

10.如權(quán)利要求7所述的垂直存儲器件，還包括：

半導(dǎo)體圖案，其將所述第一溝道層和所述第二溝道層彼此連接，

其中所述垂直溝道在所述半導(dǎo)體圖案上。

11.如權(quán)利要求10所述的垂直存儲器件，其中

所述第二溝道層圍繞所述半導(dǎo)體圖案的外側(cè)壁，以及

所述第二溝道層被配置來用作地選擇晶體管的溝道。

12.如權(quán)利要求7所述的垂直存儲器件，其中

所述垂直溝道包括第一垂直溝道和第二垂直溝道，

其中所述第一垂直溝道在所述第二溝道層上，以及

所述第二垂直溝道與所述第一垂直溝道的內(nèi)壁鄰接，并且延伸穿過所述第二溝道層。

13.如權(quán)利要求12所述的垂直存儲器件，其中所述第二垂直溝道接觸所述第一溝道層。

14.如權(quán)利要求7所述的垂直存儲器件，其中

所述第一溝道層包括多個線圖案，以及

所述線圖案中的每一個重疊至少一個包括多個所述垂直溝道的溝道列。