[發明專利]一種帶有IPD的TSV孔結構及其加工方法

有效

• 申請號: 201510055003.X
• 申請日: 2015-02-03
• 公開（公告）號: CN104600059B
• 公開（公告）日: 2017-06-30
• 發明（設計）人: 靖向萌
• 申請（專利權）人: 華進半導體封裝先導技術研發中心有限公司
• 主分類號: H01L23/522
• 分類號: H01L23/522;H01L21/768
• 代理公司: 上海海頌知識產權代理事務所(普通合伙)31258
• 代理人: 任益

1.一種帶有IPD的TSV孔結構，其包括硅晶圓體，其特征在于： 所述硅晶圓體上設置有多個TSV通孔，所述TSV通孔內連同硅晶圓體表面沉積有絕緣層，所述TSV通孔中至少一個TSV通孔內設置有橫向絕緣層，形成TSV通孔上下隔斷，所述TSV通孔內電鍍金屬層，所述TSV通孔上的所述金屬層上下端交錯互連，所述硅晶圓體表面成型環狀電鍍金屬層，所述環狀電鍍金屬層與所述TSV通孔內電鍍金屬層互連。

2.根據權利要求1所述的一種帶有IPD的TSV孔結構：連通的所述TSV通孔內電鍍金屬層為環狀電感狀金屬層。

3.一種帶有IPD的TSV孔結構的加工方法，其特征在于：其包括以下步驟：

（1）、在硅晶圓體上刻蝕多個第一TSV深孔；

（2）、在第一TSV深孔內和硅晶圓體上沉積第一絕緣層；

（3）、在第一絕緣層上沉積種子層、在種子層上電鍍金屬層，并形成部分第一TSV深孔的電鍍金屬層互連；

（4）、在硅晶圓體背面對應所述第一TSV深孔刻蝕第二TSV深孔，

（5）、在第二TSV深孔內和硅晶圓體上沉積第二絕緣層；

（6）、刻蝕部分第二TSV深孔的橫向的所述第一絕緣層和所述第二絕緣層，形成第一TSV深孔和第二TSV深孔連通；

（7）、在第二絕緣層上沉積種子層、在種子層和第二TSV深孔上電鍍金屬層，并形成部分第二TSV深孔的電鍍金屬層互連。

4.根據權利要求3所述的一種帶有IPD的TSV孔結構的加工方法，其特征在于：在第一TSV深孔和第二TSV深孔連通的TSV通孔內成型環狀電感狀金屬層。

5.根據權利要求3或者4所述的一種帶有IPD的TSV孔結構的加工方法，其特征在于：在所述硅晶圓體表面成型環狀電鍍金屬層，形成電阻型金屬層。

6.根據權利要求3所述的一種帶有IPD的TSV孔結構的加工方法，其特征在于：采用熱氧化、CVD沉積、旋涂、噴涂方式形成第一絕緣層。

7.根據權利要求3所述的一種帶有IPD的TSV孔結構的加工方法，其特征在于：通過光刻和金屬干法或濕法刻蝕工藝，在硅晶圓體表面成型環狀電鍍金屬層。

8.根據權利要求3所述的一種帶有IPD的TSV孔結構的加工方法，其特征在于：通過雙面套刻以及濕法或干法刻蝕形成第二TSV深孔。