[發明專利]氮化鉭的刻蝕方法無效
| 申請號： | 201510052254.2 | 申請日： | 2015-01-31 |
| 公開（公告）號： | CN104671196A | 公開（公告）日： | 2015-06-03 |
| 發明（設計）人： | 張振興;奚裴;熊磊 | 申請（專利權）人： | 上海華虹宏力半導體制造有限公司 |
| 主分類號： | B81C1/00 | 分類號： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 鄭瑋 |
| 地址： | 201203 上海市浦東*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 氮化 刻蝕 方法 | ||
1.一種氮化鉭的刻蝕方法，其特征在于，包括以下步驟：
提供襯底，所述襯底表面依次形成有氮化鉭層、氮化硅層及圖案化的光刻膠層；
以所述圖案化的光刻膠層為掩膜，對所述氮化硅層進行部分刻蝕；
部分刻蝕完成后，對所述氮化硅層表面的光刻膠層進行灰化工藝；
對部分刻蝕后的所述氮化硅層進行刻蝕，并暴露出所述氮化硅層進行部分刻蝕后其下面的氮化鉭層；
以剩余的氮化硅層為硬掩膜，對暴露的氮化鉭層進行部分刻蝕。
2.如權利要求1所述的氮化鉭的刻蝕方法，其特征在于，所述氮化硅層進行部分刻蝕后剩余氮化硅層的厚度為
3.如權利要求1所述的氮化鉭的刻蝕方法，其特征在于，所述氮化鉭層進行部分刻蝕后剩余氮化鉭層的厚度為
4.如權利要求1所述的氮化鉭的刻蝕方法，其特征在于，所述灰化工藝的溫度為80℃～150℃。
5.如權利要求4所述的氮化鉭的刻蝕方法，其特征在于，所述灰化工藝的灰化氣體包括氧氣和含氟的刻蝕氣體。
6.如權利要求5所述的氮化鉭的刻蝕方法，其特征在于，所述含氟的刻蝕氣體為CF4、C2F6、C4F8、CHF3、SF6中的一種或多種。
7.如權利要求5所述的氮化鉭的刻蝕方法，其特征在于，所述氧氣的流量為1000ml/min～3000ml/min。
8.如權利要求5所述的氮化鉭的刻蝕方法，其特征在于，所述含氟的刻蝕氣體的流量為10ml/min～100ml/min。
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