[發明專利]SONOS存儲器結構及其制作方法在審
| 申請號： | 201510050958.6 | 申請日： | 2015-01-30 |
| 公開（公告）號： | CN104617100A | 公開（公告）日： | 2015-05-13 |
| 發明（設計）人： | 周俊;黃建冬;洪齊元 | 申請（專利權）人： | 武漢新芯集成電路制造有限公司 |
| 主分類號： | H01L27/115 | 分類號： | H01L27/115;H01L21/8247 |
| 代理公司： | 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李時云 |
| 地址： | 430205 湖北*** | 國省代碼： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | sonos 存儲器 結構 及其 制作方法 | ||
1.一種SONOS存儲器結構，其特征在于，包括：襯底、依次形成在所述襯底上的隧穿介質層、勢壘增強層、電荷阻擋層和控制柵；其中，所述勢壘增強層包括多層交錯排列的富氧氮化硅層和富硅氮化硅層。
2.如權利要求1所述的SONOS存儲器結構，其特征在于，所述富氧氮化硅層中的氧原子含量比范圍是20％～70％。
3.如權利要求2所述的SONOS存儲器結構，其特征在于，所述富氧氮化硅層的厚度范圍在40埃到70埃之間。
4.如權利要求1所述的SONOS存儲器結構，其特征在于，所述富硅氮化硅層中的硅原子含量比范圍是40％～70％。
5.如權利要求4所述的SONOS存儲器結構，其特征在于，所述富硅氮化硅層的厚度范圍在40埃到70埃之間。
6.如權利要求1所述的SONOS存儲器結構，其特征在于，所述隧穿介質層為氧化層，厚度范圍在10埃到30埃之間。
7.如權利要求6所述的SONOS存儲器結構，其特征在于，所述隧穿介質層采用熱氧化法形成。
8.如權利要求1所述的SONOS存儲器結構，其特征在于，所述電荷阻擋層為氧化硅，厚度范圍在30埃到70埃之間。
9.如權利要求1所述的SONOS存儲器結構，其特征在于，所述控制柵的厚度在800埃到1200埃之間。
10.一種SONOS存儲器結構的制作方法，用于形成如權利要求1至9中任一項所述的SONOS存儲器結構，其特征在于，包括步驟：
提供襯底；
在所述襯底上形成隧穿介質層；
在所述隧穿介質層上形成勢壘增強層，所述勢壘增強層包括多層交錯排列的富氧氮化硅層和富硅氮化硅層；
在所述勢壘增強層上依次形成電荷阻擋層和控制柵。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的；包括有熱磁組件的
