[發(fā)明專利]改善IGBT背面金屬化的工藝方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201510050448.9
• 申請日: 2015-01-30
• 公開（公告）號: CN104637803B
• 公開（公告）日: 2018-02-06
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 遲延慶
• 申請（專利權(quán)）人: 上海華虹宏力半導(dǎo)體制造有限公司
• 主分類號: H01L21/283
• 分類號: H01L21/283
• 代理公司: 上海浦一知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司31211
• 代理人: 高月紅

1.一種改善絕緣柵雙極型晶體管背面金屬化的工藝方法，其特征在于，包括：方法A；方法A，包括步驟：

1)進行背面注入、激光退火和金屬Al淀積；

所述背面注入包括：使用N型雜質(zhì)進行背面場截止層的注入；使用P型雜質(zhì)進行背面集電極的注入；

步驟1)的激光退火的退火能量在1.0J/CM²到5.0J/CM²之間；

Al的淀積的厚度不超過3000埃；

2)激光退火；

所述步驟2)中，激光退火的條件由激光器的種類和功率決定，并要求在以下的條件下進行：

在能實現(xiàn)Al和半導(dǎo)體之間形成合金接觸、且不引起Al液化的條件下進行；

3)進行TiNiAg淀積。

2.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于：所述步驟2)中，激光退火的條件為：對于綠光激光器，激光能量在0.5J/CM²～1J/CM²之間。

3.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于：所述步驟3)中，淀積的方法包括：通過濺射或者蒸發(fā)的方法。

4.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于：所述步驟3)中，TiNiAg淀積的總厚度不超過5μm。